About: Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	This contribution deals with growth of layers of Ga1-xMnxN by the MOVPE method. The layers were gron on sapphire substrate in silicon reactor. (en) V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp)2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0,2 - 3,2 mýmol?min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 °C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie a magnetických vlastností. Na připravených vrstvách byl pozorován téměř konstantní feromagnetický moment přetrvávající až do pokojové teploty. V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp)2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0,2 - 3,2 mýmol?min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 °C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie a magnetických vlastností. Na připravených vrstvách byl pozorován téměř konstantní feromagnetický moment přetrvávající až do pokojové teploty. (cs)
Title	Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE (cs) Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE (en)
skos:prefLabel	Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE (cs) Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE (en)
skos:notation	RIV/60461373:22310/12:43894209!RIV13-GA0-22310___
http://linked.open...avai/predkladatel	Fakulta chemické technologie
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P S Z
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(GA104/09/0621), P(GA106/09/0125), S, Z(MSM6046137302)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2013
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Sedmidubský, David Sofer, Zdeněk Huber, Štěpán Jankovský, Ondřej Šaněk, Filip Šimek, Petr
http://linked.open.../riv/druhVysledku	D - Článek ve sborníku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie
http://linked.open...dnocenehoVysledku	161806
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/60461373:22310/12:43894209
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	doping; GaN, thin layers; MOVPE (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	MOVPE GaN doping thin layers
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[54B1B0F31AF6]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce	Kouty nad Desnou
http://linked.open...i/riv/mistoVydani	Praha
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Sborník 21. konference Aprochem 2012
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	CA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	6 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	7 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Preparation and characterization of metal/polymer structures ZnO-based magnetic semiconductors
http://linked.open...UplatneniVysledku	2012
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Sofer, Zdeněk Šimek, Petr Sedmidubský, David Huber, Štěpán Mikulics, M. Jankovský, Ondřej Šaněk, Filip
http://linked.open...vavai/riv/typAkce	CST - Celostátní
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce	2012-04-23 (xsd:date)
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer	Preparation and research of functional materials and material technologies using micro- and nanoscopic methods
number of pages	5 (xsd:int)
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher	PCHE - PetroCHemEng, Praha
https://schema.org/isbn	978-80-02-02376-0
http://localhost/t...ganizacniJednotka	22310
is http://linked.open...avai/riv/vysledek of	Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 41 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software