Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - V tomto článku bylo použito termické žíhání pro výrobu křemíkových nanostruktur s kontrolovanou velikostí z amorfních multivrstev a-Si:H/SiO2. Série multivrstev byly deponovány PECVD za použití SiH4 a N2O plynných prekurzorů. Vrstvy tvořené stejnými tloušťkami (20, 15, 10 a 5 nm) subvrstev a-Si:H a SiO2 byly připravené na substráty Corning glass a Si(100).
- V tomto článku bylo použito termické žíhání pro výrobu křemíkových nanostruktur s kontrolovanou velikostí z amorfních multivrstev a-Si:H/SiO2. Série multivrstev byly deponovány PECVD za použití SiH4 a N2O plynných prekurzorů. Vrstvy tvořené stejnými tloušťkami (20, 15, 10 a 5 nm) subvrstev a-Si:H a SiO2 byly připravené na substráty Corning glass a Si(100). (cs)
- In this paper, we used thermal annealing for fabrication size controlled silicon nanostructures from amorphous a-Si:H/SiO2 multilayers. A series of multilayers were deposited by PECVD using SiH4 and N2O as precursor gases. Films composed of alternating uniformly thick (20, 15, 10 and 5 nm) sublayers of a-Si:H and SiO2 were prepared on Corning glass and Si(100) substrate. (en)
|
Title
| - Deposition of thin multilayer a-Si:H/SiO2 by using PECVD for photovoltaic applications (en)
- Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace
- Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace (cs)
|
skos:prefLabel
| - Deposition of thin multilayer a-Si:H/SiO2 by using PECVD for photovoltaic applications (en)
- Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace
- Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace (cs)
|
skos:notation
| - RIV/49777513:23640/12:43917415!RIV13-MSM-23640___
|
http://linked.open...avai/predkladatel
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/49777513:23640/12:43917415
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - PECVD; multivrstvy; a-Si:H / SiO2 (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Netrvalová, Marie
- Šutta, Pavol
- Prušáková, Lucie
- Calta, Pavel
|
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |