Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Si-C-N films were deposited on p-type Si substrates by dc magnetron co-sputtering of silicon and carbon using a single sputter target with variable Si/C area ratios in nitrogen-argon mixtures. The film characteristics were primarily controlled by the argon concentration in the gas mixture at a fixed 40% silicon fraction in the magnetron erosion track area. The total pressure and the discharge current on the magnetron target were held constant at P=0.5Pa and Im=1A, the substrate temperature was adjusted at Ts=600°C by an ohmic heater and the rf-induced negative substrate bias voltage, Ub was -500V
- Si-C-N films were deposited on p-type Si substrates by dc magnetron co-sputtering of silicon and carbon using a single sputter target with variable Si/C area ratios in nitrogen-argon mixtures. The film characteristics were primarily controlled by the argon concentration in the gas mixture at a fixed 40% silicon fraction in the magnetron erosion track area. The total pressure and the discharge current on the magnetron target were held constant at P=0.5Pa and Im=1A, the substrate temperature was adjusted at Ts=600°C by an ohmic heater and the rf-induced negative substrate bias voltage, Ub was -500V (en)
- Si-C-N vrstvy byly připraveny na křemíkové substráty (Si(100), typu p) za použití dc magnetronového rozprašování křemíku a uhlíku v plynné směsi dusík–argon. Na terči bylo možné měnit poměr obsahu Si/C. Vlastnosti vrstev byly kontrolovány zejména obsahem argonu (0 – 75 %) v plynné směsi při stanoveném 40 % obsahu křemíku v erozní zóně terče. Celkový tlak a proud na magnetronový terč byly konstantní, teplota substrátu byla ohmickým ohřevem nastavena na Ts = 600 °C, radiofrekvenčně indukované předpětí na substrátu Ub bylo -500 V. K vysvětlení rozdílů mezi rozprašováním uhlíku a křemíku v argon–dusíkovém výboji byla použita hmotnostní spektroskopie. Vrstvy, ty (cs)
|
Title
| - Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films
- Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films (en)
- Vliv plynné směsi dusík-argon na reaktivní magnetronové naprašování tvrdých vrstev Si-C-N (cs)
|
skos:prefLabel
| - Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films
- Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films (en)
- Vliv plynné směsi dusík-argon na reaktivní magnetronové naprašování tvrdých vrstev Si-C-N (cs)
|
skos:notation
| - RIV/49777513:23520/02:00000529!RIV07-MSM-23520___
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(ME 203), Z(AV0Z1010914), Z(AV0Z1048901), Z(MSM 235200002)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/49777513:23520/02:00000529
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - Si-C-N films; magnetron co-sputtering; mass spectroscopy (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Surface and Coatings Technology
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Kormunda, Martin
- Vlček, Jaroslav
- Peřina, Vratislav
- Zemek, Josef
- Čížek, Jiří
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |