| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - It was designed and validated alternative technological process of formation of the structure of a solar cell with smooth surface of the solar cell rear side and with PN junction just on the front side, i.c. withnout necessity to do an isolation process along the edges. This procedure is based on the principle of masking of the surface of one side by the dielectric layer of SiNx deposited using PECVD technology. On the basis of performance and evaluation of etching tests usig %22wet%22 chemical method for the application of technology in the production of solar cells it was set suitable process for etching of the back side surface of the silicon substrate. (en)
- Byl navržen a ověřen alternativní technologický postup vytvoření struktury solárního článku s hladkým povrchem zadní strany solárního článku a s PN přechodem pouze na přední straně, tedy bez nutnosti provádění procesu izolace podél hran. Tento postup je založený na principu maskování povrchu jedné strany dielektrickou vrstvou SiNx deponovanou technologií PECVD. Na podkladě provedení a vyhodnocení testů leptání %22mokrou%22 chemickou cestou byl pro uplatnění v dané technologii výroby solárních článků stanoven vhodný proces leptání zadní strany křemíkového substrátu.
- Byl navržen a ověřen alternativní technologický postup vytvoření struktury solárního článku s hladkým povrchem zadní strany solárního článku a s PN přechodem pouze na přední straně, tedy bez nutnosti provádění procesu izolace podél hran. Tento postup je založený na principu maskování povrchu jedné strany dielektrickou vrstvou SiNx deponovanou technologií PECVD. Na podkladě provedení a vyhodnocení testů leptání %22mokrou%22 chemickou cestou byl pro uplatnění v dané technologii výroby solárních článků stanoven vhodný proces leptání zadní strany křemíkového substrátu. (cs)
|
| Title
| - Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně.
- Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně. (cs)
- Proved technology of solar cell manufacturing based on monocrystalline silicon with one-side textured surface and with front side PN junction. (en)
|
| skos:prefLabel
| - Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně.
- Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně. (cs)
- Proved technology of solar cell manufacturing based on monocrystalline silicon with one-side textured surface and with front side PN junction. (en)
|
| skos:notation
| - RIV/49610040:_____/13:*0000100!RIV14-MPO-49610040
|
| http://linked.open...avai/predkladatel
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...onomickeParametry
| - Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých struktur solárních článků s vysokou konverzní účinností.
|
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/49610040:_____/13:*0000100
|
| http://linked.open...terniIdentifikace
| |
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open...vai/riv/kategorie
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - crystalline silicon; solar cell; technology; one-side; texturing; one-side diffusion (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...echnickeParametry
| - Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně je popsána v procesním předpisu 1-01-014 uloženého v databázi firmy Solartec. Pro danou technologii byly vyvinuty, testovány a zavedeny operace (viz příslušné operační návodky): oboustranné kyselé leptání povrchu křemíkového substrátu (2 - 11 - 016), depozice maskovacího nitridu (2 - 14 -004), čištění od grafitu (2 - 11 - 013), jednostranná texturace povrchu (2 - 11 - 003) a oleptání maskovacího nitridu (2 - 11 - 017). Výsledek slouží k vlastnímu využití a byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/599, s MPO ze dne 21.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel: 601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz
|
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Bařinka, Radim
- Bařinková, Pavlína
- Frantík, Ondřej
- Hladík, Jiří
- Poruba, Aleš
- Wostrý, Petr
- Čech, Pavel
- Šenkýř, Jiří
- Pečiva, Lubomír
|
| http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
| http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)