| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Advanced BESOI Technology - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator – is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Epitaxial growth of specific layers with “etch-stop” effect, 4) Proper surface treatment of epitaxial wafer, wafers bonding and bonded pairs low-temperature annealing, 5) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 6) Grinding and polishing of SOI wafer, 7) Selective etching to etch-stop layer, removal of etch-stop layer, 8) Chemical-mechanical planarization (CMP) of BESOI device layer, 9) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 – 2000 nm and device layer thickness > 1 um with low radial thickness variability +/- 0.1 um. (en)
- Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s „etch-stop“ efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstranění etch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um.
- Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s „etch-stop“ efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstranění etch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um. (cs)
|
| Title
| - Advanced BESOI Technology (en)
- Pokročilá BESOI technologie
- Pokročilá BESOI technologie (cs)
|
| skos:prefLabel
| - Advanced BESOI Technology (en)
- Pokročilá BESOI technologie
- Pokročilá BESOI technologie (cs)
|
| skos:notation
| - RIV/26821532:_____/13:#0000067!RIV14-TA0-26821532
|
| http://linked.open...avai/predkladatel
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...onomickeParametry
| - JEDNOTKOVÁ CENA 100 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 1 tis. desek.
|
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/26821532:_____/13:#0000067
|
| http://linked.open...terniIdentifikace
| |
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open...vai/riv/kategorie
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - Silicon, Silicon-On-Insulator, SOI, BESOI, Polishing, Grinding, Etching, Epitaxy, Etch-stop, Semiconductor (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open.../licencniPoplatek
| |
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...echnickeParametry
| - DEVICE LAYER > 1 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.1um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE EPITAXNÍ DESKY PRO POLOVODODIČOVÉ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
|
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Kostelník, Petr
- Lorenc, Michal
- Pospíšil, Miloš
- Válek, Lukáš
- Šik, Jan
|
| http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
| http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)