About: SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	The paper bring results of SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x thin films manufacturing by sublimation epitaxy of the polycrystalline source of (SiC)1-x(AlN)x. Their characterization by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. was also provided, and optimal conditions of sublimation process were defined. These structures could be used as substrate for design of semiconductor devices on the basis of nitrides, including gallium nitride, aluminum nitride and their alloys. The results of SEM and AFM analysis shown, that the temperatures of 2300 K is sufficient to obtain aluminium nitrate thin films and also its solid solutions. (en) Cílem této studie bylo jednak vytvoření tenkých vrstev SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x sublimační epitaxí polykrystalického zdroje (SiC)(1-x)(AlN)x a jednak jejich charakterizace pomocí skenovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Pro vznik vrstev byly definovány optimální podmínky sublimačního procesu. Vzniklé struktury mohou být použity jako substráty pro polovodičové součástky na bázi nitridů, tj. GaN, AlN a jejich slitin, pro výrobu tranzistorů s vysokou elektronovou mobilitou, či světelných zdrojů (LED a laserových diod) vyzařujících v modré a ultrafialové oblasti spektra. Výsledky analýzy pomocí SEM a AFM ukázaly, že již při teplotě 2300 K je možné pomocí sublimační epitaxe vytvořit tenké vrstvy nitridu hliníku a jeho tuhých roztoků. Cílem této studie bylo jednak vytvoření tenkých vrstev SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x sublimační epitaxí polykrystalického zdroje (SiC)(1-x)(AlN)x a jednak jejich charakterizace pomocí skenovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Pro vznik vrstev byly definovány optimální podmínky sublimačního procesu. Vzniklé struktury mohou být použity jako substráty pro polovodičové součástky na bázi nitridů, tj. GaN, AlN a jejich slitin, pro výrobu tranzistorů s vysokou elektronovou mobilitou, či světelných zdrojů (LED a laserových diod) vyzařujících v modré a ultrafialové oblasti spektra. Výsledky analýzy pomocí SEM a AFM ukázaly, že již při teplotě 2300 K je možné pomocí sublimační epitaxe vytvořit tenké vrstvy nitridu hliníku a jeho tuhých roztoků. (cs)
Title	SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology (en) SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN (cs)
skos:prefLabel	SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology (en) SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN (cs)
skos:notation	RIV/00216305:26220/13:PU102932!RIV15-MSM-26220___
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P S
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(ED2.1.00/03.0072), P(GAP102/11/0995), S
http://linked.open...iv/cisloPeriodika	3
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2015
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Tománek, Pavel Dallaeva, Dinara
http://linked.open.../riv/druhVysledku	J - Článek v odborném periodiku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	104581
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/13:PU102932
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	silicon carbide, aluminum nitride, epitaxy, SEM, AFM (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	SEM silicon carbide aluminum nitride epitaxy AFM
http://linked.open...odStatuVydavatele	CZ - Česká republika
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[8C990CAB9CF5]
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Jemná mechanika a optika
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	4 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Centre of sensor, information and communication systems Electron transport, Noise and Diagnostic of Shottky and Autoemission Cathodes
http://linked.open...UplatneniVysledku	2013
http://linked.open...v/svazekPeriodika	58
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Tománek, Pavel Bilalov, Bilal Dallaeva, Dinara Korostylev, Evgenij
issn	0447-6441
number of pages	3 (xsd:int)
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 48 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software