Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - U snímků fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs lze i při použití nepokovených sond dosáhnout prostorového rozlišení lepšího než 250 nm. V článku je ukázáno spektrum generované fotoluminiscence při pokojové teplotě. Ve spektru se vyskytují dominantní vlnové délky fotoluminiscence okolo 1,3 um při teplotě 300 K. V článku je také předveden snímek topografie povrchu vzorku InAs/GaAs a lokální odrazivost povrchu téhož vzorku ve stejné oblasti. Obrázky byly získány za pomoci NTEGRA SNOM mikroskopu v reflexním uspořádání.
- U snímků fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs lze i při použití nepokovených sond dosáhnout prostorového rozlišení lepšího než 250 nm. V článku je ukázáno spektrum generované fotoluminiscence při pokojové teplotě. Ve spektru se vyskytují dominantní vlnové délky fotoluminiscence okolo 1,3 um při teplotě 300 K. V článku je také předveden snímek topografie povrchu vzorku InAs/GaAs a lokální odrazivost povrchu téhož vzorku ve stejné oblasti. Obrázky byly získány za pomoci NTEGRA SNOM mikroskopu v reflexním uspořádání. (cs)
- The photoluminescence (PL) images of InAs/GaAs quantum dots with the spatial resolution better than 250 nm could be obtained using uncoated fiber tip. In this paper is shown the spectrum of the fotoluminescence at room temperature and the diference between far and near-field scanning. Dominated PL intensity of the quantum dots has an exponential decay with the sample probe distance. The emission wavelength of the sample is 1,3 um at room temperature 300 K. The topography image and reflective SNOM image of InAs/GaAs quantum dots from NTEGRA SNOM microscope is also shown. (en)
|
Title
| - SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs
- SNOM photoluminescence and topography measurement of InAs/GaAs quantum dots (en)
- SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs (cs)
|
skos:prefLabel
| - SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs
- SNOM photoluminescence and topography measurement of InAs/GaAs quantum dots (en)
- SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs (cs)
|
skos:notation
| - RIV/00216305:26220/07:PU69763!RIV08-GA0-26220___
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA102/07/0113), Z(MSM0021630503)
|
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/00216305:26220/07:PU69763
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - SNOM, Scanning near-field optical microscope, Shear-force, Topography, Local photoluminescence (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Elektrotechnika a informatika 2007
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Macků, Robert
- Škarvada, Pavel
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| - Západočeská univerzita v Plzni
|
https://schema.org/isbn
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
is http://linked.open...avai/riv/vysledek
of | |