About: Simulace iontové implantace programem DIOS

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Simulace iontové implantace programem DIOS Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	The example of using process simulator DIOS to compare data of individual implantation and corresponding temperature annealing steps within diode structure creation is presented. The method based on the DIOS TECPLOT-ISE link enables to form an effective tool to compare data of individual process steps simulations as ion implantations and other. The described example of diode process steps simulation uses this link to compare total boron concentrations throghout the process. The individual DIOS process simulation steps including final boron profile creation are described. TECPLOT-ISE graphical postprocessor is used to display and compare the individual total boron concentrations. (en) Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury. Postup založen na spojení programů DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu. Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury. Postup založen na spojení programů DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu. (cs)
Title	Simulace iontové implantace programem DIOS DIOS simulation of ion implantation (en) Simulace iontové implantace programem DIOS (cs)
skos:prefLabel	Simulace iontové implantace programem DIOS DIOS simulation of ion implantation (en) Simulace iontové implantace programem DIOS (cs)
skos:notation	RIV/00216305:26220/06:PU65048!RIV07-MSM-26220___
http://linked.open.../vavai/riv/strany	102-105
http://linked.open...avai/riv/aktivita	Z
http://linked.open...avai/riv/aktivity	Z(MSM0021630503)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2007
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Recman, Milan
http://linked.open.../riv/druhVysledku	D - Článek ve sborníku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	499328
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/06:PU65048
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	Device simulation, Electrical simulation, Parameter extraction, Device modeling, Curve fitting, Device optimization. (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	Device optimization. Parameter extraction Curve fitting Device modeling Device simulation Electrical simulation
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[8D7312183436]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce	Brno
http://linked.open...i/riv/mistoVydani	Brno
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	1 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	1 (xsd:int)
http://linked.open...UplatneniVysledku	2006
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Recman, Milan
http://linked.open...vavai/riv/typAkce	CST - Celostátní
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce	2006-12-12 (xsd:date)
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer	Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích (MIKROSYN)
number of pages	4 (xsd:int)
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher	Ing. Zdeněk Novotný CSc.
https://schema.org/isbn	80-214-3342-6
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220
is http://linked.open...avai/riv/vysledek of	Simulace iontové implantace programem DIOS Simulace iontové implantace programem DIOS

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 117 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software