About: Simulace jevů krátkého kanálu     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
Description
  • Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci struktury programem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.
  • Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci struktury programem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE. (cs)
  • For short channel MOSFETs, the threshold voltage is reduced if the drain bias is increased and this short-channel effect (SCE) is known as drain-induced barrier lowering (DIBL). The contribution deals with TCAD simulation of DIBL. The method to extract the threshold voltage reduction and the subthreshold current increase due to DIBL is described. The experiment contains five different NMOSFET device simulations in order to illustrate drain-induced barrier lowering. The simulations are run under GENESISe. The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS and visualization and extraction tool INSPECT. (en)
Title
  • Simulace jevů krátkého kanálu
  • Short-channel effects simulation (en)
  • Simulace jevů krátkého kanálu (cs)
skos:prefLabel
  • Simulace jevů krátkého kanálu
  • Short-channel effects simulation (en)
  • Simulace jevů krátkého kanálu (cs)
skos:notation
  • RIV/00216305:26220/06:PU65047!RIV07-MSM-26220___
http://linked.open.../vavai/riv/strany
  • 98-101
http://linked.open...avai/riv/aktivita
http://linked.open...avai/riv/aktivity
  • Z(MSM0021630503)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
http://linked.open...aciTvurceVysledku
http://linked.open.../riv/druhVysledku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
http://linked.open...titaPredkladatele
http://linked.open...dnocenehoVysledku
  • 499329
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
  • RIV/00216305:26220/06:PU65047
http://linked.open...riv/jazykVysledku
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
  • Device simulation, Electrical simulation, Parameter extraction, Device modeling, Curve fitting, Device optimization. 2D, Threshold voltage, Drain-induced barrier lowering. (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
  • [0A3E9DC50BE9]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
  • Brno
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
  • Brno
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
  • Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
http://linked.open...UplatneniVysledku
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
  • Recman, Milan
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
number of pages
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
  • Ing. Zdeněk Novotný CSc.
https://schema.org/isbn
  • 80-214-3342-6
http://localhost/t...ganizacniJednotka
  • 26220
is http://linked.open...avai/riv/vysledek of
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software