About: šumové fluktuace v MOSFET strukturách     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
Description
  • Over the last years was established, that mostly semiconductor electronic devices are sources of current and voltage fluctuations. Not only the vicinity of PN junctions but also homogenous semiconductors are sources of many type of noises. Origin of those sources are defects in structure or devects in the vicinity of PN jubctions. There are several methods in the range of non-destructive testing of electronic components. Methods of noise spectroscopy appear from the fact, that transport of carriers and other processes are stochastic, this fact is in macroscopic point of view expressed as mostly current or voltage fluctuations. Statistical characteristics of those fluctuations bring us worthy informations about processes running in observed systems and complete the mena square values of macroscopical quantities. (en)
  • V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech ve struktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcování světla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuace světelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a d
  • V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech ve struktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcování světla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuace světelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a d (cs)
Title
  • šumové fluktuace v MOSFET strukturách
  • Noise fluctuation in MOSFET structures (en)
  • šumové fluktuace v MOSFET strukturách (cs)
skos:prefLabel
  • šumové fluktuace v MOSFET strukturách
  • Noise fluctuation in MOSFET structures (en)
  • šumové fluktuace v MOSFET strukturách (cs)
skos:notation
  • RIV/00216305:26220/06:PU57131!RIV07-MSM-26220___
http://linked.open.../vavai/riv/strany
  • 89-183
http://linked.open...avai/riv/aktivita
http://linked.open...avai/riv/aktivity
  • Z(MSM0021630503)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
http://linked.open...aciTvurceVysledku
http://linked.open.../riv/druhVysledku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
http://linked.open...titaPredkladatele
http://linked.open...dnocenehoVysledku
  • 502476
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
  • RIV/00216305:26220/06:PU57131
http://linked.open...riv/jazykVysledku
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
  • Noise in semiconductors, current and voltage fluctuation, submicron MOSFET strucutre, noise measurement set-up (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
  • [99EFB79FB031]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
  • Brno
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
  • Brno
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
  • Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
http://linked.open...UplatneniVysledku
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
  • Bláha, Martin
  • Zajaček, Jiří
  • Havránek, Jan
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
number of pages
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
  • Vysoké učení technické v Brně
https://schema.org/isbn
  • 80-7355-062-8
http://localhost/t...ganizacniJednotka
  • 26220
is http://linked.open...avai/riv/vysledek of
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 112 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software