Výzkum a vývoj nových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu - především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si. Výzkum a vývoj nových polovodičových součástek založených na materiálech s velkou šířkou zakázaného pásu - především GaN HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). Výzkum a vývoj nových metod charakterizace polovodičových materiálů a součástek s velkou šířkou zakázaného pásu - především struktur GaN/AlGaN/AlN/Si.
Research and Development of Novel Wide Band Gap Semiconductor Material - especially the structures of GaN/AlGaN/AlN/Si. Research and Development of Novel Semiconductor Devices Based on Wide Band Gap Materials - especially GaN HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). Research and Development of the New Methods for the Characterization of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices - especially the structures of GaN/AlGaN/AlN/Si. (en)