The project aims to improve the physical properties of chemical solution deposited thin ferroelectric films, to improve their quality for specific applications in microelectronics and optoelectronics and in this way to contribute to a broadening of methods used for preparation of thin oxidic films. (en)
Cílem projektu je zlepšit fyzikální vlastnosti tenkých feroelektrických vrstev připravených metodou chemického nanášení z roztoku, zlepšit jejich kvalitu pro specifické aplikace v mikroelektronice a otoelektronice, a tímto způsobem přispět k rozšíření metod užívaných při přípravě tenkých oxidických vrstev.
Ferroelectric thin films were prepared by chemical solution deposition and characterized physically and chemically. Using quantitative thin film spectroscopy, the dynamic origin of phase transitions was established in a number of ferroelectrics and relat (en)
Metodou chemického nanášení z roztoku (CSD) byly připraveny feroelektrické tenké vrstvy a fyzikálně i chemicky charakterizovány. Pomocí kvantitativní spektroskopie tenkých vrstev byl určen dynamický původ fázových přechodů v řadě feroelektrik a jim příbu (cs)