| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:seeAlso
| |
| Description
| - research of growth mechanisms , microstructure of electron and optical features of hetero - nanostructures of semiconductores A3B5 grown on lattice mismatched surfaces, corelation of structural and physical properties (en)
- výzkum růstových mechanismů, mikrostruktury elektronových a optických vlastností hetero - a nanostruktur polovodičů A3B5 pěstovaných na strukturně nepřizpůsobených podložkách, korelace struktury a fyzikálních vlastností
|
| Title
| - III-V nanostructures/heterostructures grown on lattice mismatechd substrates (en)
- Růst nanostruktur/heterostruktur polovodičů A3B5 na mřížkově nepřizpůsobených podložkách
|
| skos:notation
| |
| http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
| http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
| http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
| http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
| http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
| http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
| http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
| http://linked.open...hodnoceniProjektu
| |
| http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
| http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| - heterostructures, nanostructures, growth mechanism, semiconductor A3B5, lattice mismatcehd surfaces (en)
|
| http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
| http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
| http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
| http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
| http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
| http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
| http://linked.open...lneniVMinulemRoce
| |
| http://linked.open.../prideleniPodpory
| |
| http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
| http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
| http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
| http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
| http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
| http://linked.open...ep/ukonceniReseni
| |
| http://linked.open...ep/zahajeniReseni
| |
| http://linked.open...jektu+dodavatelem
| - The technology&properties of porous InP,GaAs&GaP substrates intended for subsequent non izoperiodical epitaxial growth was studied.The further growth by MOVPE of InAs buffer layers obtained growth&serving as transitional layer for higher quality (en)
- Byla zkoumána příprava a vlastnosti porézních podložek InP,GaAs a GaP pro následný neizoperiodický epitaxní růst+studována tvorba přechod. vrstev InAs při velmi nízkých teplotách pro následný růst kvalit. vrstev InAs pěstov. metodou MOVPE na substr.GaAs. (cs)
|
| http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
| http://linked.open.../cep/klicoveSlovo
| - heterostructures
- nanostructures
- growth mechanism
- semiconductor A3B5
|
| is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)