Synthesis of GaN epitaxial layers by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies (en)
Hlavním záměrem navrhované spolupráce je kombinace a využití zkušeností výzkumných týmů VUT a ASU pro studium syntézy epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých (tzv. hypertermálních) energiích. Bezprostředním cílem projektu je prozkoumání možnosti dosažení depozice epitaxních vrstev GaN s nízkou hustotou defektu. Main goal of the proposed cooperation is to use the expertise of the research teams of TU Brno and ASU for synthesis of epitaxial layers of GaN by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies. The direct objective of the project is to verify the possibility to deposit epitaxial GaN layers with low density of defects by this method.
Bylo provedeno studium povrchů substrátů metodou STM, depozici vrstev Ga na substrátu Si(111) po různou depoziční dobu a za různých toků atomů Ga. (cs)