About: Role of the interface in the preparation of high quality Schottky barriers on III-V semiconductors.

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Role of the interface in the preparation of high quality Schottky barriers on III-V semiconductors. Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=LD12014
Description	The project focuses on the deposition of metal nanoparticles onto surfaces of epitaxial layers of III-V semiconductors to prepare high-quality Schottky barriers and to investigate their potential application in the detection of hazardous gases. Advanced characterization techniques are employed to study the metal-semiconductor interface and to characterize the local interfacial structure. (en) Příprava struktur kovové nanočástice-polovodič III-V na epitaxních vrstvách různého složení připravených z kapalné a plynné fáze. Charakterizace a modelování tohoto rozhraní a studium optických vlastností. Možnosti aplikace v senzorech vodíku.
Title	Role of the interface in the preparation of high quality Schottky barriers on III-V semiconductors. (en) Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V
skos:notation	LD12014
http://linked.open...avai/cep/aktivita	COST CZ
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/LD12014/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/LD12014/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2014-06-30 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	100737485
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...hodnoceniProjektu	V - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	III-V semiconductors epitaxial layers metal nonoparticles metal-semiconductor interface Schottky barrier (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	9 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	9 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2013-02-25 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/MSMT-7027%2F2012-36
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2013
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2014
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SMSM2012LD2
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2013-11-30 (xsd:date)
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus JJ - Ostatní materiály
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2012-03-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	Připravili jsme Schottkyho struktury grafit/kovové nanočástice/polovodičová epitaxní vrstva s vynikajicími parametry. Transportní vlastnosti rozhraní byly popsány generačně rekombinační teorií v oblasti prostorového náboje. Ukázali jsme, že tyto struktury jsou použitelné při detekci velmi nízkých koncentrací vodíku. (cs) We prepared Schottky structures graphite/metal nanoparticles/semiconductor epitaxial layer with excellent parameters. Transport properties of the interface were described by the generation-recombination theory in the space charge region. We showed that these structures are capable of detecting very low concentrations of hydrogen. (en)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZKU
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	Temperature-dependent properties of semimetal graphite-ZnO Schottky diodes Detection of hydrogen at room temperature with graphite-Pt nanoparticles/Si Schottky diodes Schottky barriers based on metal nanoparticles deposited on InP epitaxial layers Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles Hydrogen sensing using reduced graphene oxide sheets supported by Pd nanoparticles Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes Graphite/CdMnTe Schottky diodes and their electrical characteristics Particle detectors based on InP Schottky diodes High-resolution X-ray diffraction and electron microscopy study of porous GaAs substrates
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/LD12014/2012/ico%3A67985882 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/LD12014/2013/ico%3A67985882 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/LD12014/2014/ico%3A67985882

Faceted Search & Find service v1.16.116 as of Feb 22 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3239 as of Feb 22 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 82 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software