The proposed project will be devoted to experimental studies of dislocations in epitaxial thin films. We will focus mainly on diffuse x-ray scattering. Theoretical description of diffuse x-ray scattering from dislocations will be generalized for low-dimensional structures in order to obtain a method for determining the dislocation density and correlation of the dislocation positions. Measurements are carried out on epitaxial layers Ge on Si substrates and on constant and graded layers SiGe on Si. Information on the dislocation cofiguration obtained from the diffuse scattering measurement is compared with cross-sectional transmission electron microscopy. (en)
V rámci navrhovaného projektu budou zkoumány dislokace v tenkých vrstvách. Jedná se o experimentální studium pomocí difuzního rtg rozptylu a vypracování teoretického popisu difuzního rozptylu na dislokacích v nízkodimenzionálních strukturách s cílem nalezení metody stanovení hustoty dislokací a korelace poloh dislokací různých typů. Měření bude prováděno na relaxovaných epitaxních polovodičových vrstvách Ge na Si a SiGe na Si s konstantní a proměnnou koncentrací Ge. Získané informace o rozložení dislokací bude srovnáno s transmisní elektronovou mikroskopií příčných řezů.
The main goal of the project was to develop a theoretical description of diffuse x-ray scattering from dislocations in heteroepitaxial thin layers. We started from previous work by M.A.Krivoglaz. Formula describing the intensity of diffusely scattered x- (en)
Cílem projektu bylo nalézt vhodný teoretický popis difuzně rozptýleného rtg. záření od dislokací v heteroepitaxních tenkých vrstvách. Řešitel vycházel zejména z práce Krivoglazovy. Řešitel vycházel z obecného vztahu pro intenzitu difuzně rozptýleného rtg (cs)