About: Defect self-compensation in CdTe     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
rdfs:seeAlso
Description
  • The reliable preparation of detector-grade CdTe requires solving apparently contradictory demands consisting in a low free carrier density and the high carrier mobility-lifetime product. This goal cannot be reached without significant reduction of trapping centers and simultaneous strong compensation of shallow defects in the crystal. Even in the best quality materials the density of shallow defects at least 100x exceeds maximum allowed deep level density. Old question, how to compensate uncompensated shallow defects with much lower density of deep levels remains unsolved till now. In this project we plan the study of defect self-compensation in CdTe with aim to find a technique to prepare detector-grade CdTe and clarify the principle, which is the cause of the detector formation. The project is based both on theoretical modeling of defect structure and on experiment consisting in galvanomagnetic measurements performed in-situ during high-temperature annealing and on low temperature (en)
  • Spolehlivá příprava CdTe vhodného pro výrobu detektorů vyžaduje řešení dvou zjevně rozporných požadavků nízké hustoty volných nosičů a současně vysokého součinu jejich pohyblivosti a doby života. Tento cíl nelze dosáhnout bez výrazné redukce pasťových hladin a silné kompenzace mělkých defektů v krystalu. I v nejkvalitnějších materiálech přesahuje koncentrace mělkých defektů nejméně 100x maximální dovolenou koncentraci hlubokých hladin. Historická otázka, jak kompenzovat mělké defekty pomocí hlubokých defektů s mnohem nižší koncentrací je dosud nevyřešena. V tomto projektu plánujeme studovat samokompenzaci defektů v CdTe s cílem nalézt postup k přípravě detektorového CdTe a objasnit princip, na jehož základě detektor vzniká. Projekt je založen jak na teoretických výpočtech defektní struktury, tak na experimentech sestávajících z galvanomagnetických měření prováděných in-situ během vysokoteplotních temperací a z nízkoteplotních elektrických a optických měření temperovaných vzorků. Současné použití
Title
  • Defect self-compensation in CdTe (en)
  • Samokompenzace defektů v CdTe
skos:notation
  • GA202/08/0644
http://linked.open...avai/cep/aktivita
http://linked.open...kovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV
http://linked.open...i/cep/druhSouteze
http://linked.open...ep/duvernostUdaju
http://linked.open.../cep/fazeProjektu
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
http://linked.open...hodnoceniProjektu
http://linked.open...vai/cep/kategorie
http://linked.open.../cep/klicovaSlova
  • self-compensation; point defects in semiconductors; CdTe (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni
http://linked.open...inujicichPrijemcu
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
http://linked.open...enychVysledkuVRIV
http://linked.open...lneniVMinulemRoce
http://linked.open.../prideleniPodpory
http://linked.open...iciPoslednihoRoku
http://linked.open...atUdajeProjZameru
http://linked.open.../vavai/cep/soutez
http://linked.open...usZobrazovaneFaze
http://linked.open...ai/cep/typPojektu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni
http://linked.open...ep/zahajeniReseni
http://linked.open...jektu+dodavatelem
  • V průběhu řešení celého projektu bylo dosaženo následujících cílů: 1. Byly připraveny polovodičové detektory záření. 2. V kvalitních semiizolačních vzorcích vhodných pro detektory záření gama není přítomna hluboká příměsová hladina, která by kompenzovala primárně nekompenzované mělké příměsi. Maximální koncentrace hluboké hladiny dosahuje řádu 1012 cm-3, což je významně méně než činí koncentrac (cs)
  • In the course of the work on the project we have achieved following goals: 1. Semiconductor radiation detectors have been fabricated. 2. In high-quality semiinsulating samples usable for the preparation of radiation detectors there is no a deep impurity level compensating primarily noncompensated shallow impurities. Maximum density of deep level reaches an order 1012 cm-3, which is significantly (en)
http://linked.open...tniCyklusProjektu
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo
  • point defects in semiconductors
  • self-compensation
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of
Faceted Search & Find service v1.16.116 as of Feb 22 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3239 as of Feb 22 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 82 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software