About: Surfaces of crystalline nanolayers GaAs and Ga1-xMnxAs deposited by low-temperature molecular beam epitaxy

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Surfaces of crystalline nanolayers GaAs and Ga1-xMnxAs deposited by low-temperature molecular beam epitaxy Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA202/07/0601
Description	GaAs crystalline nanolayers will be prepared by the low-temperature molecular beam epitaxy (LT MBE) and controlled in situ by means of RHEED. The LT MBE enables incorporation of magnetic impurities into the semiconductor and thus aims to perspective combination of magnetic properties with the advanced semiconductor structure technology. This LT growth technique provides samples with physical properties depending on the details of the growth conditions and of the annealing. The samples will be transported under ultrahigh vacuum to the angular resolved electron spectrometer. The intensities of electron beams diffracted from the surface, energy- and angle- resolved distributions of electrons photoemitted from the valence band and from the core levels will be measured. The experimental data will be interpreted theoretically by means of the dynamical theory of LEED, of the one-step model of angle-resolved photoemission and of the cluster model for photoelectron diffraction. Ferromagnetic (en) Krystalické nanovrstvy GaAs budou připraveny nízkoteplotní molekulární epitaxí (LT MBE) a budou kontrolovány in situ pomocí RHEED. Tato epitaxe umožňuje zabudovat magnetické nečistoty do polovodiče a tak směřuje k perspektivnímu vytvoření materiálu kombinujícího magnetické vlastnosti s pokročilou polovodičovou technologií. Nízkoteplotní růst poskytuje nanovrstvy s fyzikálními vlastnostmi závisejícími na růstových podmínkách a na následujícím temperování. Vzorky se budou transportovat v ultravysokémvakuu do úhlově rozlišeného elektronového spektrometru. Budou se měřit intenzity elektronových svazků difraktovaných od povrchu, energiově a úhlově rozlišená fotoelektronová spektra emitovaná z valenčního pásu a z vnitřních hladin atomů. Experimentální data se budou interpretovat teoreticky pomocí dynamické teorie LEED, jednostupňového modelu fotoemise a fotoelektronové difrakce z konečného souboru atomů. Feromagnetické vzorky dotované Mn se budou studovat polarizovanými fotony ze zdroje
Title	Surfaces of crystalline nanolayers GaAs and Ga1-xMnxAs deposited by low-temperature molecular beam epitaxy (en) Povrchy nanovrstev GaAs a Ga1-xMnxAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí
skos:notation	GA202/07/0601
http://linked.open...avai/cep/aktivita	Standard projects
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F07%2F0601/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F07%2F0601/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2015-02-09 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	82299334
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://linked.open...hodnoceniProjektu	V - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	GaAs nanolayers; MBE; surface crystallography; electron and magnetic structure; LEED (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	10 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	10 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2010-04-16 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/202%2F07%2F0601
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2010
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2011
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SGA02007GA-ST
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2010-12-31 (xsd:date)
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2007-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	For GaAs and (Ga,Mn)As nanolayer surfaces, transportable ulrahigh vacuum chamber has been developed which enabled to transport undamaged sample surfaces from the MBE growth equipment Veeco into the photoelectron spectrometer ADES 400. The original mechanical manipulation of the electron analyzer of the  ADES has been complemented by programmable manipulation which accelerates collecting the (en) Pro studium povrchů nanovrstev GaAs a (Ga,Mn)As připravených v laboratoři MBE FZÚ bylo uvedeno do provozu přenosné zařízení umožňující přenos neporušených povrchů od nové aparatury Veeco pod ultravysokým vakuem do fotoelektronového spektrometru ADES400. V něm byl původní ruční pohyb analyzátoru doplněn programovatelným posuvem výrazně urychlujícím směrově rozlišená měření. Rekonstruovan (cs)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZBBKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	MBE electron and magnetic structure surface crystallography GaAs nanolayers
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	Mn incorporation into the GaAs lattice investigated by hard x-ray photoelectron spectroscopy and diffraction Anisotropy of the angle resolved electron attenuation at crystal surfaces Electron attenuation anisotropy at crystal surfaces from LEED Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface Reflection electron energy loss spectroscopy of aluminum Attenuation of excited electrons at crystal surfaces Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy Angle - resolved photoemission study of two phases of the GaAs(100)-c(4x4) surface Photoemission from Al(100) and (111): Experiment and ab initio theory Photoemission from Al(100): experiment and one-step theory
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F07%2F0601/2007/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F07%2F0601/2008/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F07%2F0601/2009/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F07%2F0601/2010/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F07%2F0601/2011/ico%3A68378271

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software