About: In-vivo STM study of atomically resolved processes at growth of metal nanostructures on Si(100) surfaces

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: In-vivo STM study of atomically resolved processes at growth of metal nanostructures on Si(100) surfaces Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA202/06/0049
Description	We propose detailed atomic-scale study of heteroepitaxial growth of metals on Si surfaces based on using an advanced experimental approach: direct observation of the surface processes (in-vivo) during deposition by means of scanning tunneling microscopy (STM). The approach provides information on dynamics of microscopic processes which can not be obtained by in-situ STM measurements used so far. Changing rates of the processes by control of growth conditions (deposition rates, substrate temperature) allows to evaluate the role of mechanisms involved. Sequences of STM images will be utilized for growth models, which will be verified using kinetic Monte Carlo (KMC) simulations of growth characteristics. Our study will concentrate on the surface Si(100)-2×1 and metals which create 1D structures: (a) investigation growth of single metals (Al, In, Sn) with the focus on explanation of mechanisms on atomistic level, and comparison of trends for different metals, (b) exploring formation of rows (en) Projekt se zabývá studiem heteroepitaxe kovů na površích Si na atomární úrovni pomocí rastrovací tunelovací mikroskopie (STM) užitím nové metodiky - přímého pozorování (in-vivo) během depozice. Metoda poskytuje informace o dynamice mikroskopických procesů, které nemohou být získány pomocí dosavadních in-situ STM měřeními. Řízení podmínek depozice (rychlost napařování, teplota substrátu) umožní ohodnotit vliv přítomných mechanismů na epitaxní růst. Získané sekvence snímků povrchu budou využity pro vytvoření fyzikálních modelů růstu, které budou ověřeny pomocí kinetických Monte Carlo (KMC) simulací růstových charakteristik. Soustředíme se na povrch Si(100)-2x1 a kovy tvořící 1D struktury. Budeme: a) vyšetřovat růst jednotlivých kovů (Al, In, Sn) s cílem objasnit mikroskopické mechanismy a srovnat trendy pro různé kovy, b) zkoumat tvorbu řádků dimérů obsahujících dva kovy (In-Sn, Al-Sn). Dynamická měření doplněná simulacemi podstatně přispějí k pochopení vzniku nanostruktur na rekostruovaných
Title	In-vivo STM study of atomically resolved processes at growth of metal nanostructures on Si(100) surfaces (en) Studium atomárních procesů při růstu kovových nanostruktur na površích Si(100) pomocí in-vivo STM
skos:notation	GA202/06/0049
http://linked.open...avai/cep/aktivita	Standard projects
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F06%2F0049/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F06%2F0049/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2009-10-22 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	68674220
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://linked.open...hodnoceniProjektu	V - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	surface diffusion; nucleation; island growth; heteroepitaxy; Si; STM; in-vivo; simulation; kinetic Monte Ca (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Matematicko-fyzikální fakulta
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	10 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	10 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2008-04-25 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/202%2F06%2F0049
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2008
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2009
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SGA02006GA-ST
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2008-12-31 (xsd:date)
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	BE - Teoretická fyzika
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2006-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	Projekt se zabýval růstem a elektronovou strukturou 1D atomárních řetízků kovů na povrchu Si(100)-2×1 pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM), spektroskopie (STS) a kinetických Monte Carlo (KMC) simulací. Byl objeven a kvantitativně popsán vliv C-de (cs) The project was focused on growth and electron structure of 1D atomic metal chains on the Si(100)-2×1surface by means of scanning tunneling microscopy (STM), spectroscopy (STS) and kinetic Monte Carlo (KMC) simulations. A role of C-defects at nucleation (en)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZBKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	surface diffusion STM Si heteroepitaxy in-vivo island growth nucleation simulation
is http://linked.open...vavai/riv/projekt of	STM and KMC Study of Indium Growth on Si(100) Kinetics of In growth on Si(100)2x1 surface at low coverage - STM study (Art.No.: 072006) Transformations of C-type defects on Si(100)-2x1 surface at romm temperature - STM/STS study Growth of Bimetallic Nanostructures on the Si(100)-(21) Surface Growth of Bimetallic Nanostructures on the Si(100)-(2x1) Surface Comment on 'Monotonically decreasing size distributions for one-dimensional Ga rows on Si(100)' (Article No. 037401) Nanosegregation phenomena at grain boundaries of metallic materials Grain boundary migration and compensation effect Stability of In rows on Si(100) during STM observation Heterogeneous nucleation and adatom detachment at one-dimensional growth of In on Si(100)-2 x 1
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2006/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2006/orjk%3A11320 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2007/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2007/orjk%3A11320 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2008/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2008/orjk%3A11320 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2009/ico%3A68378271 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA202%2F06%2F0049/2009/orjk%3A11320

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 48 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software