We are proposing to study collective and quantum effects in nanoscale (III,Mn)V ferromagnetic semiconductors. The specific research area we intend to address is one of the most promising in nanoscale physics with the potential to reinvent the semiconductor electronic technology. We plan to report an extensive survey of ferromagnetic critical temperature predictions for the whole family of III-V host materials of different layered structure geometries doping profiles and other parameters. Collective mode spectra will be calculated to determine microscopic parameters of the magnetic energy functional. Using mean-field theory we will study the magnetic reversal process. Peculiar hysteresis loops in magnetic quantum wells are expected to open a host for manipulating the magnetic state by external electric field with the potential in nonvolatile semiconductor memory applications. Anomalous Hall effect and other transport coefficients will be evaluated using semiclassical theory and (en)
Navrhovaný projekt je zaměřen na studium kolektivních a kvantových jevů v polovodičových nanostrukturách založených na (III,Mn)V materiálech. Oblast, kterou se budeme zabývat patří mezi nejslibnější vzhledem k budoucím polovodičovým technologiím. Plánujeme připravit souhrnný přehled feromagnetických kritických teplot pro celou třídu III-V materiálů s rozdílnou strukturou atomových vrstev v závislosti na dopování a ostatních parametrech vzorků. Kolektivní exitace v magnetickém systému budou počítány za účelem stanovení mikroskopických parametrů funkcionálu energie, závisícího na velikosti a lokálním směru magnetizace. V přiblížení středního pole budeme studovat přeorientování magnetického momentu vlivem vnějšího pole. Zvláště u kvantových jam očekáváme neobvykle hysterézní křivky, jejichž závislost na přiloženém elektrickém napětí by mohla být využita k přípravě magnetických polovodicovych pamětí. Dále se budeme zabyvat studiem anomálního Hallova jevu a ostatními vlastnostmi při využiti
Metal-spintronics devices, whose basic elements have dimensions of only few nanometers and utilize spin along with the charge of electron, have recently revolutionized computer memory technologies. The main goal of the project GACR 202/02/0912 was extend (en)
Kovové spintronické součástky, jejichž základní prvky mají nanometrové rozměry a ve kterých se využívá vedle náboje elektronu i jeho spin mají dnes široké uplatnění např. v oblasti počítačových pamětí. Cílem projektu GAČR 202/02/0912 bylo přispět k rozší (cs)