Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
rdfs:seeAlso
| |
Description
| - The goal is to study mechanisms of a new method for creation of profiles of generation- recombination (g-r) centers in silicon with optimal electronic parameters and shape of their profile. Achievement of this combination in the expected extent was notavailable so far. The principle of method to be studied in this grant is based on interaction of platinum with radiation defects resulting from alpha particle irradiation. The g-r centers resulting from traditional platinum diffusion provide good g-rproperties, but do not allow for formation of a required shape of the profile necessary for achievement of optimal relevant device electrical parameters. On the other hand, the radiation defects enable one to achieve nearly arbitrary shape of the defectprofile in reproducible way, but the g-r properties are not optimal. The goal of the project is to combine advantages of both the approaches mentioned above. This is available under appropriate processing conditions for interaction of platinum with (en)
- Cílem grantu je studium mechanismů nového netradičního způsobu vytváření profilů rekombinačních center v křemíku, které mají z principu optimální parametry, ale u nichž nebylo dosud užívanými metodami možné dosáhnout potřebného tvaru koncentračníhoprofilu. Studovaný postup vytváření rekombinačních center je založen na principu interakce příměsí, v našem případě platiny, s radiačními poruchami vzniklými po ozáření alfa částicemi. Rekombinační centra vzniklá tradičním postupem difúze platiny majísice dobré generačně-rekombinační vlastnosti, ale nevytváří potřebný tvar profilu z hlediska všech elektrických parametrů součástky. Radiační poruchy naproti tomu umožňují dosažení vhodného a dobře ovladatelného profilu, ale jejich generačně-rekombinačnívlastnosti nejsou zdaleka optimální (velký svodový proud). Cílem postupu použitého při řešení tohoto grantu je současné získání výhod obou popsaných přístupů. To lze provést zajištěním vhodných podmínek pro interakci platiny a radiačních poruch, při
|
Title
| - Novel methods of local lifetime control in semiconductors (en)
- Nové metody lokálního řízení doby života v polovodičích
|
skos:notation
| |
http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
http://linked.open...hodnoceniProjektu
| |
http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| |
http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
http://linked.open...okUkonceniPodpory
| |
http://linked.open...okZahajeniPodpory
| |
http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
http://linked.open...jektu+dodavatelem
| - Complete physical and technological know-how for platinum (Pt) diffusion controlled by radiation defects (vacancies) resulting from high-energy alpha-particle irradiation - the diffusion takes place from the surface platinum silicide (PtSi) and implanted (en)
- Ucelený soubor znalostí fyzikálně-technologické povahy pro zabudování platiny (Pt) do substituční polohy nízkoteplotní difúzí řízenou radiačními poruchami (vakancemi) po ozáření vysokoenergetickými alfa částicemi ze zdroje tvořeného vrstvou silicidu plat (cs)
|
http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
is http://linked.open...vavai/riv/projekt
of | |
is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |