Cílem projektu je prvková a strukturní analýza povrchů pevných látek a studium velmi tenkých vrstev. Metoda LEIS je pro tento účel velmi vhodná díky své extrémní povrchové citlivosti. Oproti ostatním analytickým metodám vyniká relativní jednoduchostí (rychlostí) zpracování měřených dat. Proto je velmi vhodná pro in situ měření depozičních procesů. Ve variantě s elektrostatickým energiovým analyzátorem lze povrchovou citlivost omezit na nejsvrchnější monovrstvu vzorku. S použitím průletového energiového analyzátoru ToF (Time of Flight) lze určovat prvkové složení i několika podpovrchových hladin. Kombinovaným použitím LEIS spektrometrů s oběma typy energiových analyzátorů bude studováno prvkové složení a struktura velmi tenkých vrstev (v rozsahu od jedné do deseti nejsvrchnějších monovrstev). Základní směry výzkumu v navrhovaném projektu: 1) Zkoumání a popis závislosti šířky a tvaru píků v LEIS spektrech na tloušťce analyzovaných vrstev. Výsledky budou použity pro rychlou in situ (cs)
The main goal of the project is to carry out elemental and structural analysis of surfaces and ultrathin films. LEIS is a suitable method for this purpose due to its extreme surface sensitivity. It is superior among other analytical methods in simplicityand speed of measured data processing. Hence it matches requirements for in situ deposition monitoring. Surface sensitivity can be specified to the outermost surface monolayer when an electrostatic energy analyser is applied. Other subsurface layers can be analysed with a ToF (Time of Flight) analyser. The elemental composition and structure of ultrathin films (in the range from one to ten topmost atomic monolayers) will be studied using LEIS spectrometers with both types of analysers. The fundamental objectives of the proposed project: 1) Examination of peak width and shape in LEIS spectra as a function of the thickness of analysed films. The results will be used for fast in situ monitoring of layer deposition at IFE FME BUT. 2) Defect detection in (en)