Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Silicon nanocrystals are good potential candidates for manufacturing light-emititng devices which are directly integrable into contemporary microelectronic circuits (so called all-silicon optoelectronics). Although recently both positive optical gain andelectroluminescence (EL) were reported in silicon nanocrystals, applicable device has not been yet realized. Standard technique of preparation of silicon nanocrystals, Si-ion implantation of SiO2 films followed by thermal annealing at temperatures above1000°C, can hardly supply a material with sufficient concentration of silicon nanocrystals to assure a percolation transport path for electron-hole injection. The aim of this project is a preparation of electroluminescent structures with new technologiesand mainly exeprimental study of EL on these devices. A novel technological approach, combining standard porous silicon with SiO2 layers derived by a sol-gel method, will be used. This technique allows to prepare silicon nanocrystals in sufficient (en)
- Křemíkové nanokrystaly jsou dobrými potenciálními kandidáty pro výrobu světlo-emitujících součástek, které bude možné přímo integrovat do stávajících mikroelektronických obvodů (tzv. celokřemíková opto-elektronika). Ačkoliv byl v křemíkovýchnanokrystalech nedávno pozorován optický zisk i elektrolumi-niscence (EL), aplikovatelnou součástku se prozatím nepodařilo realizovat. Standardní metoda přípravy křemíkových nanokrystalů, tj. iontová implantace ionty Si následovaná žíháním při vysokýchteplotách nad 1000°C, dokáže jen s obtížemi připravit materiál s dostatečnou koncentrací křemíkových nanokrystalů nutnou pro dosažení perkolační transportní dráhy. Cílem projektu bude příprava elektroluminiscenčních struktur s křemíkovými nanokrystalynovými technologickými postupy a zejména pak experimentální studium EL na těchto strukturách. Bude využito zcela nové technologie, kombinující standardní silně luminiskující porézní křemík s SiO2 vrstvami připravenými metodou sol-gel, která umožňuje (cs)
|
Title
| - Elektroluminiscence křemíkových nanokrystalů připravených novými technologickými postupy (cs)
- Electroluminescence of silicon nanocrystals prepared by new techological approaches (en)
|
http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
http://linked.open...vai/klicova-slova
| |
http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |