Microstructure evolution of electroplated copper thin films for on-chip interconnections near room temperature. Copper electroplating for on-chip metallization is central to Cu chip interconnection technology since copper replaced aluminium asinterconnect metal in late 1990s. Control of the electroplated copper microstructure is key to the manufacturing of reliable integrated circuits. The introduction of small amounts of additives in the plating bath leads to marked changes in the nature ofthe metallicdeposit obtained at the cathode. Copper films electrodeposited in presence of additives will self-anneal at room temperature in the period of hours or days. The self-annealing is accompanied by electrical resistivity decrease to a valueclose to the nomi nal value for copper, by grain size evolution from initially nanoscopic range to the final size of the order of 1um, and by texture changes. The rate of the self-annealing depends on various deposition conditions. The additives play key (en)
Elektrochemická depozice mědi je hlavní technologií výroby spojů v mikročipech od konce 90.let, kdy měď vytlačila hliník při volbě materiálů pro vodivé spoje integrované v mikročipech. Řízení struktury elektrochemické mědi je klíčovým pro výrobuspolehlivých integrovaných obvodů. Do elektrochemické lázně se přidávají malá množství přísad, jenž způsobují změnu struktury kovového depositu na katodě. V takto nanesených měděných vrstvách probíhají za pokojové teploty v průběhu několika hodin až dnípo depozici strukturní změny, jenž jsou doprovázeny snížením měrného elektrického odporu na hodnotu blízkou jmenovité hodnotě mědi, růstem zrna z počátečních několika desítek nanometrů na hodnoty řádově v mikrometrech a změnou textury. Rychlost tohotoprocesu žíhání za pokojové teploty je závislá na řadě parametrů, ale klíčovou roli zde představují příměsi absorbované ve vrstvě. Mechanismy procesu dosud nejsou známy. Cílem navrhovaného projektu je nalézt řídící mechanismy žíhání tenkých vrstev (cs)