About: Preparation and characterization of epitaxial semiconductor MOVPE layers and structure based on GaSb     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
Description
  • Navrhovaný projekt se týká přípravy, charakterizace a optimalizace růstu polovodičových vrstev na bázi Sb (binárních i ternárních) z různých prekurzorů pomocí MOVPE (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy). Tyto materiály budou vhodné zejména pro přípravu detektorů a laserových diod emitujících při vyšších teplotách ve středněvlnné infračervené oblasti (2-5 um). Jako prekurzory budou použity trimethylgallium (TMGa) nebo triethylgallium (TEGa), arsin (AsH3) nebo tertiarybutylarsin (TBAs), trimethylaluminiu(TMAl) nebo tristertiarybutylaluminium (TTBAl) a trisdimethylaminoantimon (TDMASb) nebo triethylantimon (TESb), přičemž bude diskutována a porovnávána vhodnost použití uvedených prekurzorů z hlediska vzájemné slučitelnosti během růstu a rovněž z hlediskajejich teplotního rozkladu a tím i kvality vzniklé vrstvy. Dá se očekávat, že vzniklé vrstvy, připravované z nově vyvinutých prekurzorů, které díky slabším chemickým vazbám kov - organický radikál mají nižší teploty rozkladu, by mohly mít lepší kvalitu n (cs)
  • The aim of the project is in characterising and optimising the growth of GaSb based semiconductor layers from different precursors using Metal}{lang1029 -}{Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). These materials may be suitable namely for the preparation of detectors and laser diodes emitting in the mid-infrared range. As precursors, the following materials will be used: trimethylgallium (TMGa) or triethylgallium (TEGa), arsin (AsH}{sub 3}{) or tertiarybutylarsin (TBAs), trimethylaluminium (TMAl) or tristertiarybutylaluminium (TTBAl) and trisdimethylaminoantimony (TDMASb) or triethylantimony (TESb), while the suitability of using the given precursors will be discussed and compared from the viewpoint of mutual compatibility during growth as well as from the viewpoint of their thermal (temperature) decomposition and thus also the quality of the layer prepared. We can expect that the layers, prepared from newly developed precursors, which thanks to weaker chemical bonds of metal-organic radical show (en)
Title
  • Preparation and characterization of epitaxial semiconductor MOVPE layers and structure based on GaSb (en)
  • Příprava a charakterizace polovodičových epitaxních MOVPE vrstev a struktur na bázi GaSb (cs)
http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
http://linked.open...avai/druh-souteze
http://linked.open...domain/vavai/faze
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
http://linked.open...vavai/id-aktivity
http://linked.open.../vavai/id-souteze
http://linked.open...n/vavai/kategorie
http://linked.open...nujicich-prijemcu
http://linked.open...avai/poskytovatel
http://linked.open...ai/statni-podpora
http://linked.open...vavai/typProjektu
http://linked.open...ai/uznane-naklady
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
http://linked.open...ku-zverejnovanych
is http://linked.open...ain/vavai/projekt of
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 46 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software