V projektu je navržen experimentální výzkum strukturních vlastností dokonalých multivrstev polovodičů A III B V a s tím spojený rozvoj dynamické teorie rtg. difrakce. Vhodnou metodou je rtg. difrakce v Braggově případu. Potřebnými vícekrystalovými rtg.difraktometry umožňujícími vysoké rozlišení je laboratoř vybavena. Předpokládáme, že základní strukturní parametry vzorků určíme porovnáním teoretických simulací a experimentálních křivek. Především hodláme studovat heterostruktury GaAlAS/GaAS, které j ou nositeli dvoudimenzionálního elektronového plynu s vysokou pohyblivostí a tedy výchozím materiálem pro velmi rychlé elektronické součástky, a heterostruktury GaAlSb/GaSb. Elektrické a optické vlastnosti obou systémů, vypěstovaných různými metodami, jsu zkoumány v našem ústavu v dalších spolupracujících projektech. Výsledky budou konfrontovány s informacemi získanými fotoluminiscencí. (cs)