Recently the novel plasma chemical systems (reactors) have been developed. These systems employ the flow of the working gas for creation of the plasma channel: At first the radio frequency low pressure reactor which used the unipolar hollow cathode discharge. Secondly the high pressure unipolar torch discharge has been used as a source of plasmajet channel. From point of view of the thin film deposition it is very perspective to take advantage of a high chemical activity of the RF hollow cathode discharge and develop the multi jet system with hollow cathodes. This system enables to deposit alloy, composite thin films, multi-layer structures or gradient thin films onto flat surfaces, internal walls of cavities, tubes, or on the surface of components with complicated shapes. Up to now the described plasma-chemical systems have been successfully used only for deposition in some particular cases. For optimisation of these plasma-chemical systems it is necessary the other basic and applied (en)
V poslední dekádě byly v našich laboratořích vyvinuty plazma chemické systémy (reaktory) ve kterých je plazmový kanál vytvářen pomocí proudícího kanálu pracovního plynu. Kanál pracovního plynu určuje tak tvar plazmatického kanálu. Plazmatický kanál je pagenerován RF polem budící RF výboj: V nízkotlakém RF reaktoru je plazmový kanál generován výbojem v duté katodě, která vzniká ve trysce, kterou proudí pracovní plyn do reaktoru. Ve vysokotlakém systému je plazmový kanál vytvářen RF unipolárním pochodňovývýbojem. Z hlediska depozice tenkých vrstev se ukazuje jako perspektivní reaktor s vícetryskovým systémem vytvářejícím několik plazmových kanálů. Tento systém umožňuje depozici slitinových, kompozitních vrstev a vícevrstevnatých struktur na rovinné substráty, vnitřní stěny dutin a trubic a na substráty komplikovaných tvarů. Dosud byly uvedené systémy převážně používány empiricky při depozici některých tenkých vrstev. Pro optimalizaci systémů je nutný další systematický základní i aplikovaný výzkum: (cs)