| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - In a semiconductor PN junction there are localized regions featuring increased concentration of donor or acceptor impurities or other defects, which cause the PN junction reverse breakdown voltage to be reduced. They can be displayed when picking up the reverse current waveforms at varying reverse voltage or by measuring the U-I characteristics of a PN junction powered from a constant current supply. Below the homogeneous breakdown region, the PN junction reverse current is, in principle, due to the local defect-assisted current conduction only. These areas are particularly critical for the application of high-power rectifier diodes, which are operated at very high reverse voltages continuously. The goal of the present project consists in completingboth theoretical and experimental study of statistic and transport characteristics of selected PN junction semiconductor devices in their local instability regions (microplasma occurrence regions) and, based on this study, to design a methodology and an (en)
- V polovodičovém PN přechodu existují lokalizované oblasti se zvýšenou koncentrací donorových nebo akceptorových příměsí nebo další defekty, které se projevují nižším průrazným napětím PN přechodu ve zpětném směru. Lze je indikovat buďto snímáním časovýchprůběhů závěrného proudu při proměnném závěrném napětí nebo měřením VA charakteristik při napájení ze zdroje proudu. Závěrný proud přechodem v oblasti před homogenním průrazem je tvořen v podstatě pouze vedením proudu těmito lokálními defekty. Tyto oblasti jsou zvláště nebezpečné při aplikaci výkonových usměrňovacích diod, které pracují trvale s vysokými závěrnými hodnotami napětí. Cílem projektu je provést teoretické a experimentální studium statistických a transportních charakteristik vybraných polovodičových součástek s PN přechody v oblastech lokálních nestabilit PN přechodů (v oblastech výskytu mikroplazmy) a na základě tohoto studia navrhnout metodiku a zařízení pro šumovou diagnostiku a posuzování kvality, případně i spolehlivosti PN (cs)
|
| Title
| - Diagnostics of PN junction electronic devices by means of microplasma noise evaluation (en)
- Diagnostika elektronických součástek s PN přechodem pomocí šumu mikroplazmy (cs)
|
| http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
| |
| http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
| http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
| http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
| http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...i/hlavni-ucastnik
| |
| http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
| http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
| http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
| http://linked.open...vai/klicova-slova
| - Diagnostics; quality; PN junction; avalanche breakdown; microplasma noise (en)
|
| http://linked.open...avai/konec-reseni
| |
| http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
| http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
| http://linked.open...avai/start-reseni
| |
| http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
| http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
| http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
| http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
| http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
| http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
| http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
| is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)