Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Transient phenomena, like the electronic energy relaxation, will be studied by theoretical methods in low-dimensional semiconductor microstructures important from the point of view of optoelectronic applications in data transmission and processing systems. I order to determine conditions under which the efficiency of the electron-energy relaxation in the system of interacting quantum dots is increased with respect to the case of a free-standing quantum dot, emphasis will be put on numerical study of the electronic relaxation in systems of coupled quantum dots and systems of quantum dots coupled to other structures, and on the electron-phonon relaxation channel. Low-dimensional microstructures, based on heterostructures of AlGaAs-GaAs type, excited by laser pulse, will be studied. The numerical calculations will be performed for realistic models of aggregates of interacting quantum dots with the aim to achieve a comparison with experiment. (en)
- Transientní jevy, jako je relaxace elektronové energie v nízkorozměrných polovodičových mikrostrukturách důležitých z hlediska optoelektronických aplikací v systémech přenosu a zpracování dat, budou studovány teoretickými metodami. Bude položen důraz na numerické studium elektronové relaxace v systémech interagujících kvantových teček a v systémech kvantových teček interagujících s jinými strukturami a na elektron-fononový kanál relaxace. Cílem bude nalézt podmínky, za kterých je relaxace elektronové energie v systému interagujících kvantových teček účinnější než v případě isolované kvantové tečky. Budou studovány nízkorozměrné mikrostruktury na základě heterostruktur typu AlGaAs-GaAs, excitované laser. pulsem. Numerické výpočty budou provedeny pro realist. modely agregátů s cílem dosáhnout srovnání s experimentem a umožnit kvantitativní předpovědi s důrazem na ty vlastnosti agregátů kvantových teček, které lze ovlivnit v průběhu technol. procesu. (cs)
|
Title
| - Transientní jevy v nízkorozměrných polovodičových mikrostrukturách (cs)
- Transient phenomena in low-dimensional semiconductor microstructures (en)
|
http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |