| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Cílem tohoto projektu je řízená příprava tvaru a velikosti polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs, později i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovnatelné velikosti QD s de Broglieho vlnovou délkou elektronů a děr, často určovány jejich velikostí a tvarem více než vlastním materiálem z něhož jsou QD připraveny. Typ struktury (hustota QD, počet a vzdálenost vrstev s QD ve vertikálně uspořádaných strukturách) bude také hrát velkou roli při optimalizaci přípravy. Výše popsané parametry určuje technologický postup přípravy. Tyto parametry QD hodláme řídit teplotou a rychlostí růstu, poměrem růstových prekursorů, časovým průběhem epitaxe a dalšími technologickými parametry (např. orientací a přípravou substrátu). Dosud je pro přípravu QD dominantní technologií epitaxe z molekulárních svazků (MBE), v rámci tohoto projektu chceme také prokázat, že MOVPE je z hlediska přípravy srovnatelná s MBE. (cs)
- This project aims at the development of semiconductor Quantum Dots (QDs) with predetermined and controlled size and shape from InAs and later from GaSb, using MOVPE. Optical and electrical properties of QD structures are often determined more by the size and shape, than by the material of the QDs, because of the comparable size of QDs and de Broglie´s wavelength for electrons and holes. The type of the structure, (number of QD layers and their separation in the vertically correlated structures) will play important role in the optimisation of QD structure parameters. The above mentioned properties are determined by the technology of preparation. The QD parameters will be adjusted by changing the growth rate, precursor ratio, time regime of the growth and by other technological parameters like the substrate orientation. The dominant technology for QD preparation structures is MBE. In the frame of this project we would like to prove that MOVPE is equally suitable method for this task. (en)
|
| Title
| - Controlled quantum dot MOVPE growth (en)
- Řízená příprava polovodičových kvantových teček (cs)
|
| http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
| |
| http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
| http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
| http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
| http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
| http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
| http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
| http://linked.open...vai/klicova-slova
| - compound semiconductors; quantum dots; semiconductor lasers; epitaxial growth; luminescence; AFM; STM; TEM (en)
|
| http://linked.open...avai/konec-reseni
| |
| http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
| http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
| http://linked.open...avai/start-reseni
| |
| http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
| http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
| http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
| http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
| http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
| http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
| http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
| is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)