Attenuation lengths of electrons used in surface sensitive electron spectroscopies and electron diffraction will be determined at low electron energies (below 50 eV) for ordered GaAs based systems prepared by molecular beam epitaxy. Their energy dependence and angular anisotropy will be investigated by means of angular resolved photoelectron spectroscopies (ARUPS, ARXPS) and electron diffraction (LEED). Overlayer techniques will be utilized. The data will be compared with results obtained from separations of surface and bulk contributions caused by surface core level shifts. Theoretical analysis of intensities of diffracted spots from the crystal surfaces will enable to recognise relative contributions of elastic and inelastic electron collisions to the electron attenuation. Results improve our understanding of the electron scattering processes and reliability of quantitative information of ordered surfaces. (en)
Úniková hloubka elektronů, jeden z nejdůležitejších parametrů elektronové spektroskopie a difrakce, bude určena pro pomalé elektrony (pod 50 eV) pro uspořádané systémy na bázi GaAs připravené epitaxí z molekulárních svazků. Její energetická a úhlová anizotropie bude studována pomocí úhlově rozlišené spektroskopie (ARUPS, ARXPS) a difrakce pomalých elektronů (LEED). Bude použita překryvová technika. Výsledky budou srovnány s daty získanými separací povrchových a objemových příspěvků k intenzitě fotoelektronové linie. Teoretická analýza intenzit difrakčních stop umožní oddělit relativní příspěvek elastických a neelastických elektronových srážek k únikové hloubce elektronů. Výsledky projektu prohloubí pochopení mechanismů elektronového rozptylu a zvýší spolehlivost kvantitativní informace pro uspořádané povrchy a nanostruktury při nízkých energiích elektronů. (cs)
electron attenuation length, electron escape depth; single crystal surfaces; A3B5 semiconductors; electron spectroscopy; epitaxial nanofilms; molecular beam epitaxy (en)