| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Hechtův model popisuje účinnost sběru náboje v polovodičových detektorech pomocí střední volné dráhy nosičů náboje. Zatímco tento model odpovídá naměřeným datům v případě radiačně nepoškozených detektorů, jeho modifikace jsou nezbytné pro zahrnutí strukturálních změn v detektorech indukovaných jejich expozicí v silném toku částic. Modifikovaný model je prezentován. Střední volná dráha v tomto modelu závisí na tvaru elektrického pole a na dobách života nosučů náboje. Doby života byly měřeny experimentálně z iluminace předních a zadních stěn detektorů jak pulzním laserem o vlnové délce 660 nm tak částicemi alfa emitovanými radionuklidem 241Am. Tento modifikovaný Hechtův model byl úspěšně použit pro analýzu účinností sběru náboje indukovaného částicemi alfa a beta ve standardních i okysličených křemíkových detektorech po jejich ozáření protony s energií 10 MeV a fluencemi z intervalu od 1011 po 3x1014 p/cm2. (cs)
- The Hecht model describes the charge collection efficiency of semiconductor detectors using the mean free path of the charge carriers. While the fits to data are very good for non-irradiated detectors, modifications to the model are necessary to take into account the structural changes in the detectors induced by their exposure to high particle fluences. A modified model is presented. In this model, the mean free path depends on the shape of the electric field and on the charge carrier lifetimes. The lifetimes were measured experimentally from the front- and back-illuminations of the detectors by 660nm laser light and by particles from a 241Am source. This new Hecht model was successfully fitted to alpha and beta charge collection efficiencies of standard and oxygenated silicon detectors after their irradiation by 10MeV protons with fluences varying from 1011 to 3x1014 p/cm2.
- The Hecht model describes the charge collection efficiency of semiconductor detectors using the mean free path of the charge carriers. While the fits to data are very good for non-irradiated detectors, modifications to the model are necessary to take into account the structural changes in the detectors induced by their exposure to high particle fluences. A modified model is presented. In this model, the mean free path depends on the shape of the electric field and on the charge carrier lifetimes. The lifetimes were measured experimentally from the front- and back-illuminations of the detectors by 660nm laser light and by particles from a 241Am source. This new Hecht model was successfully fitted to alpha and beta charge collection efficiencies of standard and oxygenated silicon detectors after their irradiation by 10MeV protons with fluences varying from 1011 to 3x1014 p/cm2. (en)
|
| Title
| - Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons
- Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons (en)
- Modifikovaný Hechtův model kvalifikující radiační poškození ve standardních a okysličených křemíkových detektorech poškozených protony o energii 10 MeV (cs)
|
| skos:prefLabel
| - Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons
- Modified Hecht Model qualifying Radiation Damage in Standard and Oxygenated Silicon Detectors from 10MeV Protons (en)
- Modifikovaný Hechtův model kvalifikující radiační poškození ve standardních a okysličených křemíkových detektorech poškozených protony o energii 10 MeV (cs)
|
| skos:notation
| - RIV/68407700:21670/07:15142578!RIV08-GA0-21670___
|
| http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(1P04LA211), P(1P04LA212), P(GA202/04/1395), Z(MSM6840770029)
|
| http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/68407700:21670/07:15142578
|
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - 10MeV protons irradiation; Charge collection efficiency; Hecht model; Radiation damage; Silicon detectors (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A, Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
|
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Leroy, C.
- Pospíšil, Stanislav
- Linhart, Vladimír
- Houdayer, A.
- Charbonnier, S.
- Charron, S.
- Lebel, L.
|
| http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
| issn
| |
| number of pages
| |
| http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)