Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Jevy laterální vodivosti v samoorganizovaných strukturách s kvantovými tečkami InAs připravenými v matrici GaAs s různými krycími vrstvami byly zkoumány pomocí měření závislostí proudu na napětí, kapacity na napětí, metody DLTS, závislostí kapacity a vodivosti na frekvenci a dále pomocí rychlých poruchových transientů a vodivosti indukované elektronovým svazkem. Kapacitní přechodové jevy jsou ovládány lokální příčnou vodivostí v rovině kvantových teček a transportem volných nosičů v krycí vrstvě (cs)
- Lateral conductivity effects have been jnvestigated in self-organised InAs quantum dot structures grown in a GaAs matrix with different cap layers by current-voltage, capacitance-voltage, DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient and electron beam induced conductivity measurements. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer
- Lateral conductivity effects have been jnvestigated in self-organised InAs quantum dot structures grown in a GaAs matrix with different cap layers by current-voltage, capacitance-voltage, DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient and electron beam induced conductivity measurements. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer (en)
|
Title
| - Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures
- Laterální vodivost ve strukturách GaAs/InAs s kvantovými tečkami (cs)
- Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures (en)
|
skos:prefLabel
| - Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures
- Laterální vodivost ve strukturách GaAs/InAs s kvantovými tečkami (cs)
- Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures (en)
|
skos:notation
| - RIV/68378271:_____/04:00101821!RIV/2005/AV0/A02005/N
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA202/03/0410), Z(AV0Z1010914)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/68378271:_____/04:00101821
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - quantum dots; quantum wells; III-V semiconductors (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| - FR - Francouzská republika
|
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - European Physical Journal-Applied Physics
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Mareš, Jiří J.
- Hubík, Pavel
- Krištofik, Jozef
- Gombia, E.
- Tóth, A. L.
- Dózsa, L.
- Frigeri, P.
- Franchi, S.
- Horváth, Z. J.
- Mosca, R.
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |