About: Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	High resolution imaging of doped areas in semiconductors with slow electrons is one of hot topics for both solid state physics and technology. Recent study employing the scanning low energy electron microscope demonstrated a high image contrast of dopants but only low attention has been devoted to the photoemission electron-microscopic (PEEM) imaging of these structures. Previous works ascribed the crucial role to local differences in the photoemission threshold while the present study claims the contrast more likely coming from local differences in absorption of hot electrons due to pair generation. High resolution imaging of doped areas in semiconductors with slow electrons is one of hot topics for both solid state physics and technology. Recent study employing the scanning low energy electron microscope demonstrated a high image contrast of dopants but only low attention has been devoted to the photoemission electron-microscopic (PEEM) imaging of these structures. Previous works ascribed the crucial role to local differences in the photoemission threshold while the present study claims the contrast more likely coming from local differences in absorption of hot electrons due to pair generation. (en) Zobrazení dopovaných oblastí polovodiče pomocí pomalých elektronů s vysokým rozlišením je jedním z aktuálních témat výzkumu ve fyzice pevné fáze i v technologiích. Nedávná práce používající rastrovací mikroskopii pomalými elektrony prokázala vysoký obrazový kontrast dopantů, nicméně jen malá pozornost byla doposud věnována fotoemisnímu elektronově mikroskopickému zobrazení těchto struktur. Jestliže minulé studie připisovaly rozhodující úlohu místním rozdílům v úrovni prahu fotoemise, zde předložené výsledky naznačují, že kontrast spíše pochází od lokální variability absorpce horkých elektronů prostřednictvím generace párů. (cs)
Title	Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study (en) Mapování dopantů v polovodičích: studium pomocí PEEM (cs)
skos:prefLabel	Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study (en) Mapování dopantů v polovodičích: studium pomocí PEEM (cs)
skos:notation	RIV/68081731:_____/05:00022411!RIV06-GA0-68081731
http://linked.open.../vavai/riv/strany	321
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(GA202/04/0281)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2006
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Müllerová, Ilona Frank, Luděk
http://linked.open.../riv/druhVysledku	D - Článek ve sborníku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	528858
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/68081731:_____/05:00022411
http://linked.open...riv/jazykVysledku	eng - angličtina
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	dopant contrast; PEEM; semiconductors (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	dopant contrast semiconductors PEEM
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[A3B7205ED5E1]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce	Davos
http://linked.open...i/riv/mistoVydani	Villigen
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Proceedings - Microscopy Conference 2005 - Dreiländertagung /6./
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	7 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons
http://linked.open...UplatneniVysledku	2005
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Müllerová, Ilona Frank, Luděk Gloskovskii, A. Schönhense, G. Elmers, H. Nepijko, S. Valdaitsev, D.
http://linked.open...vavai/riv/typAkce	WRD - Světová
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce	2005-08-28 (xsd:date)
issn	1019-6447
number of pages	1 (xsd:int)
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher	Paul Scherrer Institute

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software