Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Vysoce samoorganizovaná síť CLO porů ilustrující efektivitu elektrochemického leptání byla vytvořena na (100) rovině InP. Aplikované napětí/proud má klíčový význam pro ladění rozměru, geometrie a směru šíření porů. TEM studium určilo v případě CLO porů jako nukleační mechanizmus splynutí menších CO porů. Monitorování směru porů v závislosti na parametrech leptání umožnilo vytvoření struktur se střídající se vrstvou CLO a různe orientovaných CO porů. (cs)
- A well organized network of CLO pores was revealed on (100) plane of InP illustrating the effectiveness of the electrochemical dissolution technique. The applied current /voltage was found to be the crucial parameter that affects the pore size, geometry and propagation towards the bulk material. TEM revealed that CLO pore formation initiates by merging of the smaller CO pores in the nucleation layer. Monitoring of the direction of pores by carefully designed etching, producing thus alternating arrays of CLO and CO pores.
- A well organized network of CLO pores was revealed on (100) plane of InP illustrating the effectiveness of the electrochemical dissolution technique. The applied current /voltage was found to be the crucial parameter that affects the pore size, geometry and propagation towards the bulk material. TEM revealed that CLO pore formation initiates by merging of the smaller CO pores in the nucleation layer. Monitoring of the direction of pores by carefully designed etching, producing thus alternating arrays of CLO and CO pores. (en)
|
Title
| - Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors
- Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors (en)
- Řízené vytváření sítě porů ve polovodivých fosfídech (cs)
|
skos:prefLabel
| - Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors
- Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors (en)
- Řízené vytváření sítě porů ve polovodivých fosfídech (cs)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/08:00094674!RIV08-AV0-67985882
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA202/06/1315), P(ME 697), Z(AV0Z20670512)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/08:00094674
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - porous semiconductors; electrochmical analysis; transmission electron microscopy; scanning electron microscopy (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Journal of Porous Materials
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Gladkov, Petr
- Nohavica, Dušan
- Karakostas, Th.
- Kehagias, Th.
- Komninou, Ph.
- Delimitis, A.
- Pavlidou, E.
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |