Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Electrochemically etched pores in InP, GaAs, Ga0InP and GaP have been investigated. Pores multilayer containing current oriented and/or crystallographic pores was prepared in InP which is suitable for the preparation almost self organized current line Ga0InP and GaP demonstrate both, current oriented and crystallographic pores as well. Pores etching in GaInP as well as reported technological applications, like dislocations filtration and heteroepitaxial growth of InAs on porous InP are original observations.
- Electrochemically etched pores in InP, GaAs, Ga0InP and GaP have been investigated. Pores multilayer containing current oriented and/or crystallographic pores was prepared in InP which is suitable for the preparation almost self organized current line Ga0InP and GaP demonstrate both, current oriented and crystallographic pores as well. Pores etching in GaInP as well as reported technological applications, like dislocations filtration and heteroepitaxial growth of InAs on porous InP are original observations. (en)
- Bylo zkoumáno elektrochemické vytváření porů v InP, GaAs, GaP a GaInP. Byly připraveny i vícevrstvé struktury s proudově i krystalograficky orientovanými pory z InP, který je vhodný k přípravě téměř samoorganizované sítě proudových porů. Rovněž GaAs, GaInP a GaP umožňují přípravu obou typů porů. Příprava porů v GaInP je zcela originální, stejně jako uvedené technologické aplikace při zmenšování hustoty dislokací a heteroepitaxním růstu InAs na porézním InP. (cs)
|
Title
| - Micropores preparation in A3B5 semiconductors
- Micropores preparation in A3B5 semiconductors (en)
- Příprava mikroporů v polovodičích A3B5 (cs)
|
skos:prefLabel
| - Micropores preparation in A3B5 semiconductors
- Micropores preparation in A3B5 semiconductors (en)
- Příprava mikroporů v polovodičích A3B5 (cs)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/07:00097731!RIV08-AV0-67985882
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA202/06/1315), P(ME 834), Z(AV0Z20670512)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/07:00097731
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - porous semiconductors; III-V semiconductors; nanoelectronics (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Materials Science and Technology [online]
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Gladkov, Petr
- Nohavica, Dušan
- Zelinka, Jiří
- Jarchovský, Zdeněk
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |