Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - V této práci informujeme o epitaxním růstu InAs z 100 % roztoku Bi. XRD měření ukazují na dokonalý mřížkový soulad mezi vrstvou a substráte, a koncentrace Bi ve vrstvách je < 0,07%. Ramanova, infračervená spektroskopie na odraz a fotoluminiscenční spektroskopie ukazují na fónovou koncentraci elektronů ve vrstvách nižší, než je kritická koncentrace Mottova přechodu v InAs, tj. . ≈5x1014 cm-3. Nízkou fónovou koncentraci připisujeme malé rozpustnosti Si v Bi, neboť Si je znám jako nejčastější donor v InAs. (cs)
- We report the first liquid epitaxial growth of InAs layers from 100%Bi solvent. XRD measurements reveal perfect lattice matching between layer and substrate and < 0.07 % substitutional Bi content in the layers. Raman, Infrared spectroscopy and photoluminescence spectroskopy point on background electron concentration below the Mott critical density i.e. ≈5x1014 cm-3. The low background electron concentration is attributed to the presumably very low solubility of Si in Bi. Si is the main dopant in InAs.
- We report the first liquid epitaxial growth of InAs layers from 100%Bi solvent. XRD measurements reveal perfect lattice matching between layer and substrate and < 0.07 % substitutional Bi content in the layers. Raman, Infrared spectroscopy and photoluminescence spectroskopy point on background electron concentration below the Mott critical density i.e. ≈5x1014 cm-3. The low background electron concentration is attributed to the presumably very low solubility of Si in Bi. Si is the main dopant in InAs. (en)
|
Title
| - Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents
- Růst a charakterizace InAs vrstev získaných metodou kapalně-fázní epitaxe z 100% bismutových roztoků (cs)
- Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents (en)
|
skos:prefLabel
| - Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents
- Růst a charakterizace InAs vrstev získaných metodou kapalně-fázní epitaxe z 100% bismutových roztoků (cs)
- Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents (en)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/06:00043982!RIV07-AV0-67985882
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(ME 697), Z(AV0Z10100520), Z(AV0Z20670512)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/06:00043982
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - semiconductor materials; III-V semiconductors; epitaxial growth; photoluminescence; X-ray diffraction; Raman spectroscopy; infrared spectroscopy (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| - GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
|
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Semiconductor Science and Technology
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Gladkov, Petr
- Nohavica, Dušan
- Šourek, Zbyněk
- Litvinchuk, A. P.
- Iliev, M. N.
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |