About: Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001)

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	Transmisní elektronová mikroskopie, Ramanova spektroskopie a fotoluminisce byly využity pro srovnání strukturních a optických vlastností vrstev InN vypěstovaných metodou MBE na podložkách on GaN/Al2O3 (0001) s využitím jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu. Dvoustupňovy proces vede k lepší strukturní a optické vlastnosti. Rozdíl ve fotoluminiscenčních spektrech mezi vzorky získanými jednostupňovým a dvoustupňovým procesem růstu je důkazem rozdílu koncentrací elektronů v obou typech vrstev. (cs) Transmision electron microscopy, Raman spectroscopy and photoluminescence are employed to compare the structural and optical properties of compact InN films grown by molecular beam epitaxy on GaN/Al2O3 (0001) with single strp or two-step growth process. The two-step films exhibit better strucutural and optical properties as indicated by sharper InN/GaN interface. The PL emssion peak difference between single and double step grown samples provide evidence for different carrier concentrations. Transmision electron microscopy, Raman spectroscopy and photoluminescence are employed to compare the structural and optical properties of compact InN films grown by molecular beam epitaxy on GaN/Al2O3 (0001) with single strp or two-step growth process. The two-step films exhibit better strucutural and optical properties as indicated by sharper InN/GaN interface. The PL emssion peak difference between single and double step grown samples provide evidence for different carrier concentrations. (en)
Title	Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) Strukturní a optická charakterizace tlustých epitaxních vrstev InN vypěstovaných na povrchu GaN(0001) pomocí jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu (cs) Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) (en)
skos:prefLabel	Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) Strukturní a optická charakterizace tlustých epitaxních vrstev InN vypěstovaných na povrchu GaN(0001) pomocí jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu (cs) Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) (en)
skos:notation	RIV/67985882:_____/06:00043973!RIV07-AV0-67985882
http://linked.open.../vavai/riv/strany	162;166
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P Z
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(KSK1010601), P(ME 697), Z(AV0Z20670512)
http://linked.open...iv/cisloPeriodika	1
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2007
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Gladkov, Petr
http://linked.open.../riv/druhVysledku	J - Článek v odborném periodiku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	501910
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/67985882:_____/06:00043973
http://linked.open...riv/jazykVysledku	eng - angličtina
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	semiconductor materials; interface structure; photoluminescence (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	photoluminescence interface structure semiconductor materials
http://linked.open...odStatuVydavatele	DE - Spolková republika Německo
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[AC51781F43B4]
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Physica Status Solidi. A
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	BM
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	1 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	9 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Condensed matter physics and materials research as a basis for preparation of new materials, structures and technologies http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/ME%20697
http://linked.open...UplatneniVysledku	2006
http://linked.open...v/svazekPeriodika	203
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Gladkov, Petr Arvanitidis, J. Kehagias, Th. Komninou, Ph. Delimitis, A. Dimakis, E. Georgakilas, A. Katsikini, M. Ves, S.
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer	Materiály, struktury, systémy a signály v elektronice, optoelektronice a fotonice
issn	0031-8965
number of pages	5 (xsd:int)

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 48 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software