Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Transmisní elektronová mikroskopie, Ramanova spektroskopie a fotoluminisce byly využity pro srovnání strukturních a optických vlastností vrstev InN vypěstovaných metodou MBE na podložkách on GaN/Al2O3 (0001) s využitím jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu. Dvoustupňovy proces vede k lepší strukturní a optické vlastnosti. Rozdíl ve fotoluminiscenčních spektrech mezi vzorky získanými jednostupňovým a dvoustupňovým procesem růstu je důkazem rozdílu koncentrací elektronů v obou typech vrstev. (cs)
- Transmision electron microscopy, Raman spectroscopy and photoluminescence are employed to compare the structural and optical properties of compact InN films grown by molecular beam epitaxy on GaN/Al2O3 (0001) with single strp or two-step growth process. The two-step films exhibit better strucutural and optical properties as indicated by sharper InN/GaN interface. The PL emssion peak difference between single and double step grown samples provide evidence for different carrier concentrations.
- Transmision electron microscopy, Raman spectroscopy and photoluminescence are employed to compare the structural and optical properties of compact InN films grown by molecular beam epitaxy on GaN/Al2O3 (0001) with single strp or two-step growth process. The two-step films exhibit better strucutural and optical properties as indicated by sharper InN/GaN interface. The PL emssion peak difference between single and double step grown samples provide evidence for different carrier concentrations. (en)
|
Title
| - Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001)
- Strukturní a optická charakterizace tlustých epitaxních vrstev InN vypěstovaných na povrchu GaN(0001) pomocí jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu (cs)
- Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) (en)
|
skos:prefLabel
| - Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001)
- Strukturní a optická charakterizace tlustých epitaxních vrstev InN vypěstovaných na povrchu GaN(0001) pomocí jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu (cs)
- Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001) (en)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/06:00043973!RIV07-AV0-67985882
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(KSK1010601), P(ME 697), Z(AV0Z20670512)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/06:00043973
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - semiconductor materials; interface structure; photoluminescence (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| - DE - Spolková republika Německo
|
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| |
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Gladkov, Petr
- Arvanitidis, J.
- Kehagias, Th.
- Komninou, Ph.
- Delimitis, A.
- Dimakis, E.
- Georgakilas, A.
- Katsikini, M.
- Ves, S.
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |