Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Epitaxní vrstvy InP byly připraveny s přidáním ceria, tulia a lutecia do růstové taveniny. Připravené vrstvy byly vyšetřovány pomocí fotoluminescenčí spektroskopie a C-V měření. Vrstvy připravené s přidáním Ce a Tm vykazují změnu elektrické vodivosti z n na p, kdežto vrstvy připravené s přidáním Lu vykazují pouze n-typ vodivosti. Byla pozorována luminescence z vnitřních 4f hladin Ce, což dokazuje jeho zabudování do InP mříže. (cs)
- InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and lutetium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spetroscopy and C-V measurements. Layers prepared with the addition of Ce and Tm exhibit the change of electrical conductivity from n to p, while those grown with Lu admixture remain n-type. Ce has been found to be incorporated into the InP lattice.
- InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and lutetium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spetroscopy and C-V measurements. Layers prepared with the addition of Ce and Tm exhibit the change of electrical conductivity from n to p, while those grown with Lu admixture remain n-type. Ce has been found to be incorporated into the InP lattice. (en)
|
Title
| - Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt
- Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt (en)
- Optické vlastnosti InP vrstev připravených s přidáním Ce, Tm a Lu do růstové taveniny (cs)
|
skos:prefLabel
| - Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt
- Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt (en)
- Optické vlastnosti InP vrstev připravených s přidáním Ce, Tm a Lu do růstové taveniny (cs)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/05:00000072!RIV/2005/GA0/A13005/N
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA102/03/0379), P(KSK1010104)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/05:00000072
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - semiconductors;photoluminescence;galvanomagnetic effects (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| - DE - Spolková republika Německo
|
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Crystal Research and Technology
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Gladkov, Petr
- Zavadil, Jiří
- Procházková, Olga
|
issn
| |
number of pages
| |