Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt.
- InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt. (en)
- Monokrystalické epitaxní vrstvy InP připravené na semiizolačních (InP:Fe) substrátech a substrátech s n-typem vodivosti (InP:Sn) byly pěstovány s přidáním ceria, tulia a europia do růstové taveniny. Vrstvy byly vyšetřovány pomocí nízkoteplotní fotoluminescenční spektroskopie a měřením C-V závislostí a teplotních závislostí Hallova jevu. Všechny vrstvy vykazují změnu typu elektrické vodivosti z n na p při určité koncentraci vzácných zemin v tavenině. (cs)
|
Title
| - Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
- Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření (cs)
- Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection (en)
|
skos:prefLabel
| - Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
- Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření (cs)
- Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection (en)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/04:00105961!RIV/2005/GA0/A13005/N
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA102/03/0379), P(IBS2067354), P(KSK1010104)
|
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/04:00105961
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - semiconductors;photoluminescence;galvanomagnetic effects (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Zavadil, Jiří
- Kozak, Halina
- Žďánský, Karel
- Procházková, Olga
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| |
https://schema.org/isbn
| |