Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Diskutují se elektronová struktura, elektrické a fotoelektrické vlastnosti a možné elektronické aplikace polysilanů. Elektronové vlastnosti jsou ovlivňovány elektronovou delokalizací podél hlavního křemíkového polymerního řetězce. Boční .pi.-konjugované chromofory zvyšují fotostabilitu křemíkového řetězce a ovlivňují elektrické chování materiálu. Optická excitace vede ke vzniku excitonů, elektron-děrových párů a stavů s přenosem náboje. Transportní vlastnosti náboje oblivňují polarony pohybující se v neuspořádaném systému. (cs)
- Electronic structure, electrical and photoelectrical properties and possible electronic applications of polysilanes are discussed. The electronic properties are influenced by electron delocalization along the polymer silicon backbone. Attached .pi.-conjugated chromophores improve the photostability of the silicon main chain, influence electrical behaviour. Optical excitations lead to the formation of excitons, electron-hole pairs and charge transfer states (ion-pairs). Charge carrier transport can be described by a model of disordered polarons.
- Electronic structure, electrical and photoelectrical properties and possible electronic applications of polysilanes are discussed. The electronic properties are influenced by electron delocalization along the polymer silicon backbone. Attached .pi.-conjugated chromophores improve the photostability of the silicon main chain, influence electrical behaviour. Optical excitations lead to the formation of excitons, electron-hole pairs and charge transfer states (ion-pairs). Charge carrier transport can be described by a model of disordered polarons. (en)
|
Title
| - Polysilanes - advanced materials for optoelectronics
- Polysilany – perspektivní optoelektronické materiály (cs)
- Polysilanes - advanced materials for optoelectronics (en)
|
skos:prefLabel
| - Polysilanes - advanced materials for optoelectronics
- Polysilany – perspektivní optoelektronické materiály (cs)
- Polysilanes - advanced materials for optoelectronics (en)
|
skos:notation
| - RIV/61389013:_____/05:00021679!RIV06-AV0-61389013
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(ME 558), P(OC D14.30), Z(AV0Z40500505)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/61389013:_____/05:00021679
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - Light-induced phenomenapolysilane; electronic structure; photoconductivity (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Nešpůrek, Stanislav
- Wang, Geng
- Yoshino, K.
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |