Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - This contribution deals with growth of layers of Ga1-xMnxN by the MOVPE method. The layers were gron on sapphire substrate in silicon reactor. (en)
- V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp)2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0,2 - 3,2 mýmol?min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 °C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie a magnetických vlastností. Na připravených vrstvách byl pozorován téměř konstantní feromagnetický moment přetrvávající až do pokojové teploty.
- V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp)2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0,2 - 3,2 mýmol?min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 °C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie a magnetických vlastností. Na připravených vrstvách byl pozorován téměř konstantní feromagnetický moment přetrvávající až do pokojové teploty. (cs)
|
Title
| - Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE
- Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE (cs)
- Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE (en)
|
skos:prefLabel
| - Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE
- Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE (cs)
- Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE (en)
|
skos:notation
| - RIV/60461373:22310/12:43894209!RIV13-GA0-22310___
|
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA104/09/0621), P(GA106/09/0125), S, Z(MSM6046137302)
|
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/60461373:22310/12:43894209
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - doping; GaN, thin layers; MOVPE (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Sborník 21. konference Aprochem 2012
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Sofer, Zdeněk
- Šimek, Petr
- Sedmidubský, David
- Huber, Štěpán
- Mikulics, M.
- Jankovský, Ondřej
- Šaněk, Filip
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| - PCHE - PetroCHemEng, Praha
|
https://schema.org/isbn
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |