Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Technologií MOVPE byly připraveny vrstvy GaN na Safírových podložkách.. Byl užit horizontální reaktor pracující za sníženého tlaku. Jako výchozí látky byly užity trimethylgallium a amoniak. Byly připraveny vrstvy GaN tlusté 0,5 - 4 mikrometry, na kterých byla sledována povrchová morfologie a měřeny základní elektrické a optické parametry.
- Technologií MOVPE byly připraveny vrstvy GaN na Safírových podložkách.. Byl užit horizontální reaktor pracující za sníženého tlaku. Jako výchozí látky byly užity trimethylgallium a amoniak. Byly připraveny vrstvy GaN tlusté 0,5 - 4 mikrometry, na kterých byla sledována povrchová morfologie a měřeny základní elektrické a optické parametry. (cs)
- GaN epitaxial layers were grown by MOVPE technology on (0001) sapphire substrates. A horizontal type MOVPE reactor operated at lower pressure was used for the growth. Trimethylgallium (TMG) and ammonia (NH3) were used as source materials. The carrier gas was hydrogen. GaN layers of about 0,5 - 4 m thick was grown. Surface morfology, structural, electrical and optical parameters were measured and are discussed. (en)
|
Title
| - Strukturní, elektrické a optické vlastnosti tenkých vrstev GaN připravených technologií MOVPE
- Strukturní, elektrické a optické vlastnosti tenkých vrstev GaN připravených technologií MOVPE (cs)
- Structural, electrical and optical properties of GaN layers prepared by MOVPE technology (en)
|
skos:prefLabel
| - Strukturní, elektrické a optické vlastnosti tenkých vrstev GaN připravených technologií MOVPE
- Strukturní, elektrické a optické vlastnosti tenkých vrstev GaN připravených technologií MOVPE (cs)
- Structural, electrical and optical properties of GaN layers prepared by MOVPE technology (en)
|
skos:notation
| - RIV/60461373:22310/04:00012345!RIV/2005/GA0/223105/N
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA104/03/0387), Z(MSM 223100002)
|
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/60461373:22310/04:00012345
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - GaN;Low pressure MOVPE;Surface morphology;Electrical properties;Optical properties (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Sborník Vrstvy a povlaky 2004
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Sofer, Zdeněk
- Leitner, Jindřich
- Stejskal, Josef
- Hüttel, Ivan
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| |
https://schema.org/isbn
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |