| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Díky PECVD technologii došlo ke značnému snížení rozptylu výsledků solárních článků oproti původní LPCVD. Testy PECVD reacktorů pro výrobu krystalických Si SČ prokázali zvýšení pasivačních a antireflexních vlastností vrstev a-SiNx:H, také se dosáhlo vysoké homogenity vrstev. Nabytí znalostí depozice dielektrických vrstev pro solární a polovodičový průmysl (a-SiNx:H, a-SiOx:H, plazmatické leptání F- ionty). Nahrazení původní nákladné LPCVD depozice metodou PECVD. Značné zjednodušení výroby solárních článků a snížení výrobních nákladů při zvýšení účinnosti solárních článků.
- Díky PECVD technologii došlo ke značnému snížení rozptylu výsledků solárních článků oproti původní LPCVD. Testy PECVD reacktorů pro výrobu krystalických Si SČ prokázali zvýšení pasivačních a antireflexních vlastností vrstev a-SiNx:H, také se dosáhlo vysoké homogenity vrstev. Nabytí znalostí depozice dielektrických vrstev pro solární a polovodičový průmysl (a-SiNx:H, a-SiOx:H, plazmatické leptání F- ionty). Nahrazení původní nákladné LPCVD depozice metodou PECVD. Značné zjednodušení výroby solárních článků a snížení výrobních nákladů při zvýšení účinnosti solárních článků. (cs)
- PECVD technology have shown significant reduction in the variance of the results of solar cells compared to the LPCVD technology. Tests of PECVD furnaces for the production of crystalline Si SCs showed increase of passivation and antireflection properties of layers a-SiNx: H, high homogeneity, knowledge in the deposition of dielectric layers like a-SiNx: H, a-SiOx: H plasma etching F-ions. Replacing of costly LPCVD deposition by PECVD. A considerable simplification of solar cell production and reduce production costs while increasing the conversion efficiency. (en)
|
| Title
| - Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A)
- Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A) (cs)
- Verified deposition technology of a-SiNx:H layer applied on the production of highly efficient solar cells - increasing the efficiency of solar cells with controlled PECVD deposition of a-SiNx:H layer (achieved efficiency on c-Si substrates 18.88%, current Isc = 5.597 A) (en)
|
| skos:prefLabel
| - Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A)
- Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A) (cs)
- Verified deposition technology of a-SiNx:H layer applied on the production of highly efficient solar cells - increasing the efficiency of solar cells with controlled PECVD deposition of a-SiNx:H layer (achieved efficiency on c-Si substrates 18.88%, current Isc = 5.597 A) (en)
|
| skos:notation
| - RIV/49610040:_____/13:*0000115!RIV14-MPO-49610040
|
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| - Tomčík, Libor
- Matula, Tomáš
- Mudroň, Igor
- Malota, Vladimír
- Kantorek, Tomáš
- Mudroň, Roman
- Volek, Milan
- Řehák, Jaroslav
- Tomíčková, Markéta
- Chudoba, Martin
- Tvarůžek, Daniel
- Sekanina, Jiří
- Poruba, Aleš
- Bařinka, Radim
|
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...onomickeParametry
| - Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých technologií výroby solárních článků s vysokou konverzní účinností.
|
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/49610040:_____/13:*0000115
|
| http://linked.open...terniIdentifikace
| |
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open...vai/riv/kategorie
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - crystalline silicon solar cells; high efficiency; plasma enhanced; chemical vapor deposition; vertical reactor; horizontal reactor; pasivation properties; minority carrier life time; homogeneity of a-SiNx:H; SiOx; AlOx (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open.../licencniPoplatek
| |
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...echnickeParametry
| - Depoziční metody LPCVD: Isc = 4,795 A; Uoc = 0,571 V; FF = 78,45 %; EFF = 14,58 % (max = 15,35 %); PECVD: Isc = 5,647 A; Uoc = 0,627 V; FF = 78,92 %; EFF = 18,825 % (max = 19,062 %). Výsledek slouží k vlastnímu využití,byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/619, s MPO ze dne 28.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel: 601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz
|
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Bařinka, Radim
- Poruba, Aleš
- Mudroň, Igor
- Tomčík, Libor
- Chudoba, Martin
- Kantorek, Tomáš
- Malota, Vladimír
- Matula, Tomáš
- Mudroň, Roman
- Sekanina, Jiří
- Tomíčková, Markéta
- Tvarůžek, Daniel
- Volek, Milan
- Řehák, Jaroslav
|
| http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
| http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)