| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Autoři ukazují, že pomocí iontového bombardu s energiemi v řádech stovek eV použitého při iontových a plazmatických depozičních technikách lze dosáhnout růstu tenkých vrstev s dominující depozicí pod povrchem způsobenou tzv. mělkou implantací (shallow implantation). Toto může způsobit znatelné rozšiřování rozhraní v průběhu počátečních fází depozice vrstev (ion mixing). Při studiu modifikací terče c-Si(100) vystaveného vysokofrekvenčnímu kyslíkovému plazmatu autoři pomočí in situ RTSE spektroskopie pozorovali implantaci, poruchy a oxidaci do hloubky ~ 10 nm. Ověřili tyto výsledky pomocí transmisní elektronové mikroskopie a provedli počítačovou Monte Carlo simulaci s použitím programu Tridyn. Tento program, který byl modifikován pro použití spojitého energetického spektra iontového zdroje, umožnil autorům reprodukovat hloubkové a časové závislosti experimentálních výsledku s dobrou shodou s experimentem. In situ RTSE byla dále použita pro studium depozice TiO2 na SiO2 při podobných podmínkách. Autoři p (cs)
- The authors show that ion bombardment in the range of tens to a few hundreds of eV, used in ion- and plasma-assisted deposition processes, can lead to thin film growth dominated by subsurface deposition due to subplantation (shallow implantation). This can cause significant interface broadening during the initial stages of film deposition as a result of ion mixing. First, by studying the modifications of a c-Si(100) target exposed to an O2 plasma at the radio-frequency (rf)-biased electrode using in situ real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), the authors detect implantation, damage, and oxidation to a depth of up to ~10 nm. They validate these results using high resolution transmission electron microscopy and simulate the effects of ion-surface interactions at the rf-biased electrode by using Monte Carlo TRIDYN simulations. The simulation code, which was modified specifically to consider a broadband ion energy source, enabled the authors to reproduce depth and time relevant experimenta
- The authors show that ion bombardment in the range of tens to a few hundreds of eV, used in ion- and plasma-assisted deposition processes, can lead to thin film growth dominated by subsurface deposition due to subplantation (shallow implantation). This can cause significant interface broadening during the initial stages of film deposition as a result of ion mixing. First, by studying the modifications of a c-Si(100) target exposed to an O2 plasma at the radio-frequency (rf)-biased electrode using in situ real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), the authors detect implantation, damage, and oxidation to a depth of up to ~10 nm. They validate these results using high resolution transmission electron microscopy and simulate the effects of ion-surface interactions at the rf-biased electrode by using Monte Carlo TRIDYN simulations. The simulation code, which was modified specifically to consider a broadband ion energy source, enabled the authors to reproduce depth and time relevant experimenta (en)
|
| Title
| - Interface broadening due to ion mixing during thin film growth
- Rozšiřování rozhraní způsobené záměnou iontů v průběhu růstu tenké vrstvy na vysokofrekvenční elektrodě při plazmové depozici chemickou reakcí z par. (cs)
- Interface broadening due to ion mixing during thin film growth (en)
|
| skos:prefLabel
| - Interface broadening due to ion mixing during thin film growth
- Rozšiřování rozhraní způsobené záměnou iontů v průběhu růstu tenké vrstvy na vysokofrekvenční elektrodě při plazmové depozici chemickou reakcí z par. (cs)
- Interface broadening due to ion mixing during thin film growth (en)
|
| skos:notation
| - RIV/44555601:13440/06:00003274!RIV07-MSM-13440___
|
| http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/44555601:13440/06:00003274
|
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - plasma deposition; RTSE; Monte Carlo (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...odStatuVydavatele
| - US - Spojené státy americké
|
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Journal of Vacuum Science & Technology. A
|
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Švec, Martin
- Amassian, Aram
- Martinu, Ludvik
|
| issn
| |
| number of pages
| |
| http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)