About: Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm.

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	Byla vyvinuta technologie pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Tato procesní návodka specifikuje detaily vytváření daných oxidů za výše uvedených podmínek. Byla vyvinuta technologie pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Tato procesní návodka specifikuje detaily vytváření daných oxidů za výše uvedených podmínek. (cs) A technology of wet silicon oxide formation on Si wafers of 150 mm diameter during temperature of 960°C from hot demineralized H2O with uniformity of SiO2 layer thickness up to +/-2% was developed. This operating process description specifies details of the oxide forming during conditions specified above. (en)
Title	Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. (cs) Operating process description for wet silicon oxide formation on Si wafers of 150 mm diameter during temperature of 960°C from hot demineralized H2O with uniformity of SiO2 layer thickness up to +/-2% (en)
skos:prefLabel	Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. (cs) Operating process description for wet silicon oxide formation on Si wafers of 150 mm diameter during temperature of 960°C from hot demineralized H2O with uniformity of SiO2 layer thickness up to +/-2% (en)
skos:notation	A-2013-12-9-SVMSiO2-Sol-02 RIV/27711170:_____/13:#0000035!RIV14-TA0-27711170
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(TA01020972)
http://linked.open...certifikacniOrgan	SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00
http://linked.open.../datumCertifikace	2013-12-09 (xsd:date)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2014
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Piják, Anton Pitrun, Jiří
http://linked.open.../riv/druhVysledku	N/A - Uplatněná certifikovaná metodika
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	C - Předmět podléhá obchodnímu tajemství (§17 až 20 Obchodního zákoníku), ale některé údaje jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné
http://linked.open...onomickeParametry	Zvýšení homogenity tloušťky SiO2 vrstev má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
http://linked.open...titaPredkladatele	SVCS Process Innovation s.r.o.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	99923
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/27711170:_____/13:#0000035
http://linked.open...terniIdentifikace	SVMSiO2-Sol-02
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	wet silicon oxide formation; uniformity of SiO2 layer (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	uniformity of SiO2 layer wet silicon oxide formation
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[781A7B22F644]
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	BM
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	6 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.
http://linked.open...UplatneniVysledku	2013
http://linked.open...echnickeParametry	Na Si deskách o průměru 150 mm lze při vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O dosáhnout homogenity tloušťky SiO2 vrstev do +/-2%.
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Bařinka, Radim Bařinková, Pavlína Poruba, Aleš Čech, Pavel Piják, Anton Pitrun, Jiří

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software