About: Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	A technology of forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface (up to 300 pcs of dimension 156 x 156 mm) up to +/- 3 Ohm/square was developed. Operating process description specifies details of forming desired structers of solar cells with shallow emitter. (en) Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem. Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem. (cs)
Title	Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square (en) Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec (cs)
skos:prefLabel	Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square (en) Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec (cs)
skos:notation	A-2013-12-9-SVMP-Sol-01 RIV/27711170:_____/13:#0000033!RIV14-TA0-27711170
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(TA01020972)
http://linked.open...certifikacniOrgan	SVCS Process Innovation, Optátova 37, Brno 637 00
http://linked.open.../datumCertifikace	2013-12-09 (xsd:date)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2014
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Piják, Anton Pitrun, Jiří
http://linked.open.../riv/druhVysledku	N/A - Uplatněná certifikovaná metodika
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	C - Předmět podléhá obchodnímu tajemství (§17 až 20 Obchodního zákoníku), ale některé údaje jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné
http://linked.open...onomickeParametry	Zvýšení homogenity vrstvového odporu má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
http://linked.open...titaPredkladatele	SVCS Process Innovation s.r.o.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	99922
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/27711170:_____/13:#0000033
http://linked.open...terniIdentifikace	SVMP-Sol-01
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	uniformity of layer resistance; solar cells structures with shallow phosphorus emitter (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	solar cells structures with shallow phosphorus emitter uniformity of layer resistance
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[9A9DFCE3BD14]
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	BM
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	6 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.
http://linked.open...UplatneniVysledku	2013
http://linked.open...echnickeParametry	Lze dosáhnout homogenity vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec.
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Bařinka, Radim Bařinková, Pavlína Poruba, Aleš Čech, Pavel Piják, Anton Pitrun, Jiří

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software