Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Čistota povrchu Si desek před vysokoteplotní fosforovou dif[zí hraje důležitou roli pro finální elektronickou kvalitu vytvářených struktur. V rámci řešení projektu byl odladěn přesný postup dávkového sekvenčního mytí Si substrátů a následných oplachů v DEMI vodě s použitím chemikálií HF, HCl, H2O2 a H2O (respektive jejich kombinací) a následné procedury sušení Si desek.
- Čistota povrchu Si desek před vysokoteplotní fosforovou dif[zí hraje důležitou roli pro finální elektronickou kvalitu vytvářených struktur. V rámci řešení projektu byl odladěn přesný postup dávkového sekvenčního mytí Si substrátů a následných oplachů v DEMI vodě s použitím chemikálií HF, HCl, H2O2 a H2O (respektive jejich kombinací) a následné procedury sušení Si desek. (cs)
- Surface purity of Si wafers before the process of high temperature phosphorus diffusion plays quite important role for the final electronic quality of produced structures. In the frame of the project accurate procedure for the dose cleaning process of Si substrates (and following DEMI water rinsing) with chemicals such as HF, HCl, H2O2 and H2O (and their combination) and following drying procedure of Si wafers. (en)
|
Title
| - Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní fosforové difúze
- Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní fosforové difúze (cs)
- Procedure for Si wafer pre-cleaning before high temperature phosphorus diffusion to reduce the substrate contamination (en)
|
skos:prefLabel
| - Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní fosforové difúze
- Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní fosforové difúze (cs)
- Procedure for Si wafer pre-cleaning before high temperature phosphorus diffusion to reduce the substrate contamination (en)
|
skos:notation
| - A-2012-12-05-SVMVTFD_SOL_01
- RIV/27711170:_____/12:#0000011!RIV13-TA0-27711170
|
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...certifikacniOrgan
| - SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
|
http://linked.open.../datumCertifikace
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...onomickeParametry
| - Aplikací modifikované metodiky %22RCA cleaning%22 bylo dosaženo zajištění vyšší čistoty povrchu Si desek a úspory spotřeby jednotlivých chemikálií, což vede ke snížení nákladů na výrobu plovodičových struktur, resp. solárních článků a celkové vyšší robustnosti procesu.
|
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/27711170:_____/12:#0000011
|
http://linked.open...terniIdentifikace
| |
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - Si wafer cleaning; phosphorus diffusion; high temperature process; minority carrier lifetime; surface contamination (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...echnickeParametry
| - Aplikací modifikované metodiky %22RCA cleaning%22 bylo dosaženo zvýšení čistoty povrchu Si desek ověřenou měřením doby života minoritních nosičů proudu metodou MWPCD a rovněž zvýšením konverzní účinnosti testovaných solárních článků.
|
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Bařinka, Radim
- Bařinková, Pavlína
- Frantík, Ondřej
- Poruba, Aleš
- Wostrý, Petr
- Čech, Pavel
- Pitrun, Jiří
|