| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Rychlost růstu termického SiO2 je značně závislá na úrovni dotace Si substrátu a markantně se zvyšuje pro silně dopované povrchy. Křemíkové solární články s vyšší kvalitou povrchové pasivace potřebují vrstvu SiO2, ale její tloušťka musí být právě v rozmezí 25 až 30 nm (kompromis mezi vhodnými elektronickými a optickými vlastnostmi). Procesní návodka specifikuje detaily přípravy tenkých pasivačních SiO2 vrstev vysokoteplotní termickou oxidací (teplotní profil procesu, časovou závoslost průtoků jednotlivých plynů) pro struktury solárních článků s mělkým emitorem.
- Rychlost růstu termického SiO2 je značně závislá na úrovni dotace Si substrátu a markantně se zvyšuje pro silně dopované povrchy. Křemíkové solární články s vyšší kvalitou povrchové pasivace potřebují vrstvu SiO2, ale její tloušťka musí být právě v rozmezí 25 až 30 nm (kompromis mezi vhodnými elektronickými a optickými vlastnostmi). Procesní návodka specifikuje detaily přípravy tenkých pasivačních SiO2 vrstev vysokoteplotní termickou oxidací (teplotní profil procesu, časovou závoslost průtoků jednotlivých plynů) pro struktury solárních článků s mělkým emitorem. (cs)
- Growth rate of thermal SiO2 layer depends on the doping level within Si substrate and it is strongly increased for highly doped surfaces. Silicon solar cells with enhanced surface quality need passivation SiO2 layer with the thickness between 25 and 30 nm (as a compromise of suitable electronic and optical properties). Operating description specifies details of the high quality thermal SiO2 layer preparation (temperature profile and time dependence of individual gas flow rates) for solar cell structures with shallow emitter. (en)
|
| Title
| - Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm
- Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm (cs)
- Operating process description for dry thermal silicon oxide formation with target thickness of 25-30 nm on highly phosphorus doped Si substrates. (en)
|
| skos:prefLabel
| - Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm
- Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm (cs)
- Operating process description for dry thermal silicon oxide formation with target thickness of 25-30 nm on highly phosphorus doped Si substrates. (en)
|
| skos:notation
| - A-2012-11-21-SVPNSOP_SOL_01
- RIV/27711170:_____/12:#0000008!RIV13-TA0-27711170
|
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...certifikacniOrgan
| - SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
|
| http://linked.open.../datumCertifikace
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...onomickeParametry
| - Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena). Znalost %22know-how%22 v dané problematice zároveň posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků.Metodika může být rovněž použitelná v polovodičovém průmyslu.
|
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/27711170:_____/12:#0000008
|
| http://linked.open...terniIdentifikace
| |
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - high temperature dry oxidation of silicon; oxidation of phosphorus doped silicon (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...echnickeParametry
| - Struktura solárních článků s antireflexní a pasivační dvojvrstvou (SiO2+Si3N4) je výhodná pro Si články s mělkým, respektive selektivním emitorem pro snížení povrchových rekombinačních ztrát. Výsledkem jsou tedy články s vyšším generovaným napětím (oproti standardním strukturám až o 15 mV).
|
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Bařinka, Radim
- Bařinková, Pavlína
- Frantík, Ondřej
- Poruba, Aleš
- Wostrý, Petr
- Čech, Pavel
- Pitrun, Jiří
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)