Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Advanced BGSOI Technology - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – is based on manufacturing flow including: 1) Manufacturing of polished silicon wafers for SOI, 2) Thermal oxidation of wafers for BOX (Buried Oxide), 3) Wafers bonding and bonded pairs annealing, 4) Device layer grinding and grinding of the edge of SOI wafer. 5) Grinding and polishing of SOI wafer, 6) Cleaning of SOI wafers and SOI wafers metrology. This technology produces polished SOI wafers with diameters of 150 and 200 mm, with BOX thickness of 100 – 2000 nm and device layer thickness of 2 – 120 um. (en)
- Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 – 120 um.
- Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator – je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 – 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 – 120 um. (cs)
|
Title
| - Advanced BGSOI Technology (en)
- Pokročilá BGSOI technologie
- Pokročilá BGSOI technologie (cs)
|
skos:prefLabel
| - Advanced BGSOI Technology (en)
- Pokročilá BGSOI technologie
- Pokročilá BGSOI technologie (cs)
|
skos:notation
| - RIV/26821532:_____/13:#0000066!RIV14-TA0-26821532
|
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...onomickeParametry
| - JEDNOTKOVÁ CENA 60 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 5 tis. Desek.
|
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/26821532:_____/13:#0000066
|
http://linked.open...terniIdentifikace
| |
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open...vai/riv/kategorie
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - Silicon, Silicon-On-Insulator, SOI, BGSOI, Polishing, Grinding, Semiconductor (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open.../licencniPoplatek
| |
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...echnickeParametry
| - DEVICE LAYER 2-120 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.5um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE LEŠTĚNĚ DESKY PRO POLOVODODIČOVĚ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
|
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Lorenc, Michal
- Pospíšil, Miloš
- Válek, Lukáš
- Šik, Jan
|
http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |